Транзисторы - страница 7

2SA1941
Транзисторы 2SA1941 кремниевые структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Рекомендуется высококачественного усилителя звуковых частот мощностью для 70 Вт.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-3P.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC327-25
Транзисторы BC327-25 кремниевые, структуры p-n-p, высокочастотные.
Предназначены для применения в усилительных, генераторных и переключающих устройствах аппаратуры широкого применения.
Транзисторы выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N7002
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы 2N7002 с изолированным затвором, обогащением n-канала.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: SOT-23-3L.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFZ46N
Транзистор IRFZ46N N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 53 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 16,5 mΩ.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BD436
Транзисторы BD436 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC557C
Транзисторы BC557C кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP9140
Транзистор IRFP9140 p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: -100 В.
Максимальный ток стока: -21,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,2 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

2SC2922
Транзисторы 2SC2922 кремниевые структуры n-p-n.
Предназначены для применения в высококачественных усилителях звуковой частоты мощностью до 200 Вт.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: MT-200.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BD139-16
Транзисторы BD139-16 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SC3150
Транзисторы 2SC3150 кремниевые, планарные, структуры n-p-n, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания.
Маркирова прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.

2N2219A
Транзисторы 2N2219A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы рассчитаны на высокую скорость переключения при токе коллектора до 500 мА.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 3 г.
Тип корпуса: TO-39.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

MJE13007
Транзисторы MJE13007 биполярные, кремниевые, структуры n-p-n, переключательные.
Транзисторы предназначены для использования в качестве ключевых элементов в состав электронных пускорегулирующих аппаратов и сетевых источников вторичного электропитания.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

SS8550D
Транзистор SS8550D кремниевый, биполярный, структуры p-n-p для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TIP42C
Транзисторы TIP42C биполярные, кремниевые, планарные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для использования в усилителях и переключательных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BDX54C
Транзисторы BDX54C кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, составные (транзистор Дарлингтона), усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: ТО-220.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF9640
Транзистор IRF9640 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -200 В.
Максимальный ток стока: -11 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,5 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF1404
IRF1404 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 40 В.
Максимальный ток стока: 202 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0.004 Ом.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

MJE13003
Транзисторы MJE13003 биполярные, кремниевые, структуры n-p-n, высоковольтный.
Транзисторы предназначены для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах.  
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF530N
Транзистор IRF530N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 17 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 90 mΩ.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BUT11AF
Транзистор BUT11AF кремниевый, высоковольтный, высокоскоростной, структуры n-p-n.
Предназначен для работы в преобразователях, инверторах, импульсных регуляторах, системах управления двигателем и т. д.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: SOT-186.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.