Транзисторы - страница 8

BD137-16
Транзисторы BD137-16 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF9620
Транзистор IRF9620 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -200 В.
Максимальный ток стока: -3,5 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,5 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BC109
Транзисторы BC109 кремниевые структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF7416
Транзистор  IRF7416 p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -30 В.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,02 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SO-8.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BU2520DF
Транзистор BU2520DF кремниевый, диффузионный, биполярный, структуры n-p-n, со встроенным демпферным диодом.
Предназначен для работы в горизонтальных схемах отклонения телевизионных приемников.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-199.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BSS92
Кремниевые полевые DMOS-транзисторы с изолированным затвором, обогащением p-канала.
Транзисторы BSS92 предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

MJ2955
Транзисторы MJ2955 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: ТО-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +200 °C.

IRF9540
Транзистор  IRF9540 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: -100 В.
Максимальный ток стока: -19,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,2 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BC108
Транзисторы BC108 кремниевые структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP250
Транзистор IRFP250 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 30,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,085 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

PN2222A
Транзисторы PN2222A кремниевые, средней мощности, общего применения, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SC4468
Транзисторы 2SC4468 кремниевые, планарные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях звуковой частоты и другой аппаратуре общего применения.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора: не более 6,0 г.
Тип корпуса: MT-100 (TO-3P).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF730
Транзистор IRF730 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 400 В.
Максимальный ток стока: 5,5 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,0 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SA1943
Транзисторы 2SA1943 кремниевые структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-3P.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC548C
Транзисторы BC548C кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF7319
Транзистор IRF7319 мощный, n-p канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 30/-30 В.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,29/0,58 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SO-8.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2N2905
Транзисторы 2N2905 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Транзисторы рассчитаны на высокую скорость переключения при токе коллектора до 600 мА.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 3 г.
Тип корпуса: TO-39.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

2SC1384
Транзисторы 2SC1384 кремниевые структуры n-p-n.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и драйверах усиления.
Тип транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFBC40
Транзистор IRFBC40 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
Максимальный ток стока: 6,2 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,2 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BCP53-16
Транзисторы BCP53-16 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, среднeй мощности.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа (SMD).
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-223.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.