Транзисторы - страница 9

ST13003
Транзисторы ST13003 биполярные, кремниевые, структуры n-p-n, переключательные.
Транзисторы предназначены для использования в качестве ключевых элементов в состав электронных пускорегулирующих аппаратов и сетевых источников вторичного электропитания.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

MJ11015
Транзисторы MJ11015 биполярные, кремниевые, составные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, переключающих устройствах, системах управления защиты и автоматики.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20.
Тип корпуса: ТО-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BU208A
Транзисторы BU208A кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, импульсные.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: ТО-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

BFR93A
Транзисторы BFR93A кремниевые, биполярные, планарные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и ВЧ-генераторах.
Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC856A
Транзисторы BC856A кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TIP102
Транзисторы TIP102 биполярные, кремниевые, планарные, структуры n-p-n, составные (транзисторы Дарлингтона), усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFZ48N
Транзистор IRFZ48N N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 64 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 14,0 mΩ.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

SS8050D
Транзистор SS8050D кремниевый, биполярный, структуры n-p-n для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SA1020
Транзисторы 2SA1020 кремниевые эпитаксиальные структуры p-n-p.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: TO-92 (TO-226).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2N6517
Транзисторы 2N6517 кремниевые биполярные структуры n-p-n высоковольтные.
Транзисторы предназначен для работы в устройствах аппаратуры широкого применения с повышенным напряжением питания.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BU508A
Транзисторы BU508A кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, импульсные.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BSP51
Транзисторы BSP51 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, составные (транзистор Дарлингтона).
Предназначены для применения в промышленной аппаратуре с высоким коэффициентом усиления.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-223.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

SS8050C
Транзистор SS8050C кремниевый, биполярный, структуры n-p-n для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC846B
Транзисторы BC846B кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TIP36C
Транзисторы TIP36C биполярные, кремниевые, планарные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для для использования в усилителях и переключательных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC549C
Транзисторы BC549C кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF9Z34N
Транзистор IRF9Z34N мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -55 В.
Максимальный ток стока: -19 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,10 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFP260N
Транзистор IRFP260N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 50,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,04 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BC182
Транзисторы BC182 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Транзисторы выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SC3856
Транзисторы 2SC3856 кремниевые, структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих и усилительных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Тип корпуса: MT-100 (TO-3P).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.