ФТ-1К гр.1

ФТ-1К гр.1
Фототранзистор ФТ-1К гр.1 кремниевый планарный «ближнего» диапазона ИК-спектра с двумя p-n переходами и одним фоточувствительным элементом.
Предназначен для применения в качестве приёмника и датчика инфракрасного излучения в составе оптико-электронной аппаратуры, систем фотоэлектрической автоматики и бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники, программно-управляемого оборудования и приборов, работающих в диапазоне длин волн от 0,5 до 1,1 мкм.
Фототранзистор ФТ-1К гр.1 выпускается в герметичном металлостеклянном корпусе с однонаправленными проволочными выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе.
Плюсовой вывод (коллектор) фототранзистора маркируется точкой на корпусе или цветной меткой на выводе.
При отсутствии меток плюсовым является длинный вывод фототранзистора.
Изготавливается в климатическом исполнении для умеренного и холодного климата «УХЛ» категории размещения «4» по ГОСТ 15150-69.
Фототранзистор ФТ-1К гр.1 допускает эксплуатацию при температуре окружающей среды от -60 до +75 °С.
Масса фотодиода не более 0,9 г.
Категория качества: «ОТК», «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» АГЦ3.368.010ТУ.

Гарантийный срок хранения фототранзистора ФТ-1К гр.1 - 12 лет с даты изготовления, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 2000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 7000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические и эксплуатационные характеристики фототранзистора ФТ-1К гр.1:
• Размер фоточувствительного элемента: диаметр 1,8 мм;
• Область спектральной фоточувствительности: 0,5...1,12 мкм;
• Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,8...0,9 мкм;
• Номинальное рабочее напряжение: 5 В;
• Темновой ток: не более 3 мкА;
• Токовая фоточувствительность: не менее 0,4 мкА/лк.

Расшифровка условного обозначения кремниевого фототранзистора:
ФТ-1К гр.1
● ФТ - обозначение подкласса фотоэлектрического полупроводникового приёмника излучения, где ФТ - фототранзисторы;
● 1 - порядковый регистрационный номер разработки конкретного типа фототранзистора;
● К - буква, обозначающая материал на основе которого изготовлен фототранзистор, где К - кремний;
● гр.1 - группа «1» указывает на отличие фототранзисторов одного типа по электрическим параметрам.