ФТ-2К гр.Б

ФТ-2К гр.Б
Фототранзистор ФТ-2К гр.Б кремниевый планарный «ближнего» диапазона ИК-спектра с двумя p-n переходами и одним фоточувствительным элементом.
Предназначен для применения в качестве приёмника и датчика инфракрасного излучения в составе оптико-электронной аппаратуры, систем фотоэлектрической автоматики и бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники, программно-управляемого оборудования и приборов, работающих в диапазоне длин волн от 0,5 до 1,1 мкм.
Фототранзистор ФТ-2К гр.Б выпускается в герметичном металлостеклянном корпусе с однонаправленными проволочными выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе.
Плюсовой вывод (коллектор) фототранзистора маркируется точкой на корпусе или цветной меткой на выводе.
При отсутствии меток плюсовым является длинный вывод фототранзистора.
Изготавливается в климатическом исполнении для умеренного и холодного климата «УХЛ» категории размещения «4» по ГОСТ 15150-69.
Фототранзистор ФТ-2К гр.Б допускает эксплуатацию при температуре окружающей среды от -60 до +75 °С.
Гарантийный срок хранения фототранзистора - 12 лет с даты изготовления, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Масса фотодиода не более 0,9 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» ТУ 3-3.1694-79.

Основные технические и эксплуатационные характеристики фототранзистора ФТ-2К гр.Б:
• Размер фоточувствительного элемента: диаметр 1,8 мм;
• Область спектральной фоточувствительности: 0,5...1,12 мкм;
• Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,8...0,9 мкм;
• Номинальное рабочее напряжение: 5 В;
• Темновой ток: не более 1 мкА;
• Токовая фоточувствительность: не менее 0,2 мкА/лк.

Расшифровка условного обозначения кремниевого фототранзистора:
ФТ-2К гр.Б
● ФТ - обозначение подкласса фотоэлектрического полупроводникового приёмника излучения, где ФТ - фототранзисторы;
● 2 - порядковый регистрационный номер разработки конкретного типа фототранзистора;
● К - буква, обозначающая материал на основе которого изготовлен фототранзистор, где К - кремний;
● гр.Б - группа «Б» указывает на отличие фототранзисторов одного типа по электрическим параметрам.