Транзисторы - страница 102

2Т664А19
Транзисторы 2Т664А19 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в ключевых схемах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в составе герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с планарным расположением выводов для поверхностного монтажа (SMD) на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-47 (SOT-89).
Масса транзистора не более 0,07 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.559ТУ.
Зарубежный аналог: ZTX553M1.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора:
2Т664А19
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
64 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2П7160А1
Транзисторы 2П7160А1 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97С, масса не более 10 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160А1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т652А-2
Транзисторы 2Т652А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для использования в аппаратуре специального назначения в составе гибридных интегральных микросхем, блоков аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Бескорпусные с защитным покрытием на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечения из неё транзисторов проводить измерения их электрических параметров.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,015 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.285ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора:
2Т652А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
52 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2П7160В1
Транзисторы 2П7160В1 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97В, масса не более 8,5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160В1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2ПС104Б
Транзисторная сборка 2ПС104Б состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.033ТУ.
Зарубежный аналог: UPA70A, UPA71A.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 80000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ПС104Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П7160К2
Транзисторы 2П7160К2 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлокерамических корпусах с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами.
Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).
Тип корпуса: КТ-111С-1.02, масса не более 4,1 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160К2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160Е2
Транзисторы 2П7160Е2 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлокерамических корпусах с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами.
Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).
Тип корпуса: КТ-111В-1.02, масса не более 3,4 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160Е2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или  максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160Е1
Транзисторы 2П7160Е1 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97В, масса не более 8,5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160Е1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160Д2
Транзисторы 2П7160Д2 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлокерамических корпусах с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами.
Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).
Тип корпуса: КТ-111С-1.02, масса не более 4,1 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160Д2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160Ж1
Транзисторы 2П7160Ж1 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97А, масса не более 5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160Ж1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160Б1
Транзисторы 2П7160Б1 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97А, масса не более 5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160Б1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160В2
Транзисторы 2П7160В2 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлокерамических корпусах с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами.
Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).
Тип корпуса: КТ-111В-1.02, масса не более 3,4 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160В2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или  максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160Г1
Транзисторы 2П7160Г1 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97С, масса не более 10 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160Г1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160А2
Транзисторы 2П7160А2 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлокерамических корпусах с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами.
Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).
Тип корпуса: КТ-111С-1.02, масса не более 4,1 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160А2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или  максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160Г2
Транзисторы 2П7160Г2 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлокерамических корпусах с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами.
Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).
Тип корпуса: КТ-111С-1.02, масса не более 4,1 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160А2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160К1
Транзисторы 2П7160К1 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97С, масса не более 10 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160К1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160Д1
Транзисторы 2П7160Д1 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97С, масса не более 10 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160Д1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.