Транзисторы - страница 25

КТ920А
Транзисторы КТ920А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Используются для работы в бортовой аппаратуре подвижных средств радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.059ТУ.
Импортный аналог: 2N5589, 2SC1603.

Основные технические характеристики транзистора КТ920А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 400 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,25 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 2 мА (36В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 2 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ920А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
20 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П901А
Транзисторы 2П901А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Транзисторы 2П901А-5, 2П901Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для использования в гибридных интегральных микросхемах.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса  кристалла не более 0,00012 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ЖК3.365.243ТУ;
  - приемка «ОС» ЖК3.365.243ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: VMP1, BFL522.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П901А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 20 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 85 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 4 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 200 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 50 мА;
• S - Крутизна характеристики: 50... 160 мА/В (20В; 0,5А);
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 10 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7 дБ на частоте 100 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П901А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П305Г
Транзисторы 2П305Г кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей высокой частоты до 250 МГц, усилителях с высоким входным сопротивлением и  других схемах аппаратуры специального назначения..
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ТФ0.336.001ТУ;
  - приемка «ОСМ» ТФ0.336.001ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: SK103.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П305Г:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА
• S - Крутизна характеристики: 6... 10 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 250 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6,5 дБ на частоте 250 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П305Г
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т951Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.
Транзистор 2Т951А, 2Т951В предназначен для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении питания 28 В, транзистор 2Т951Б в диапазоне частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В в герметизированной аппаратуре.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Транзистор 2Т951Б используется без фланца корпуса.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзисторов 2Т951А и 2Т951В не более 3,5 г, 2Т951Б без фланца не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.081ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.081ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2SD1505.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т951Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
51 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

П306М1
Транзисторы П306М1 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 10,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» ЩБ3.365.031ТУ;
  - приемка «5» ЩБ3.365.002ТУ;
  - приемка «9» ЩБ3.365.002ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
П306М1
П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
306 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 301 до 399 - кремниевые мощные транзисторы низкой частоты;
М1 - указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

МП15
Транзисторы МП15 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.
Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия: СБ0.336.007ТУ1.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Основные технические характеристики транзистора МП15:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП15
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
15 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты.

2П609А
Транзисторы 2П609А полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде обратно смещенного p-n перехода с каналом n-типа усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, в смесителях в аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.095ТУ.
Зарубежный аналог: BF246B, BF247A, BF24B, BF246A.

Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П609А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

ГТ403Д
Транзисторы ГТ403Д германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - СИ3.365.036ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: ASY80.

Основные технические характеристики транзистора ГТ403Д:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...150 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
ГТ403Д
Г - буква, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где Г - германиевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
4 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П904А
Транзисторы 2П904А кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 35,0 г.
Тип корпуса: КТ-5.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» аА0.339.027ТУ;
  - приёмка «ОСМ» аА0.339.027ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: B850-35, BFL175.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П904А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и  индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 75 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 90 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 10 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 350 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 200 мА;
• S - Крутизна характеристики: 250... 520 мА/В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 60 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П904А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП707А
Транзисторы КП707А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора не более 20 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.140ТУ.
Гарантийный срок хранения 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SK298, 2SK278, RFM7N40.


Основные технические характеристики транзистора КП707А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси т max -Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 100 Вт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 5 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 400 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;
• Iс и - Импульсные ток стока (постоянный): 25 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 25 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 1 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 1600 мА/В (20В; 3А);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 1600 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 45 пФ;
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 1 Ом;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 80 нс.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП707А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ858А
Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.
Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 3,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.553ТУ.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BU104DP, BU408.

Основные технические характеристики транзистора КТ858А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 400 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 2500 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ858А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
58 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ837В
Транзисторы КТ837В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.403ТУ/03.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BD234, 2N6106.

Основные технические характеристики транзистора КТ837В:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ837В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

ГТ806В
Транзисторы ГТ806В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора не более 28,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - ЮФ3.365.021ТУ.
Импортный аналог: AL100, AUY38.

Основные технические характеристики транзистора ГТ806В:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
ГТ806В
Г - буква, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где Г - германиевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
06 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

3П915А-2
Транзисторы полевые 3П915А-2 арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах на частотах до 8 ГГц в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе.
Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя.
Масса транзистора не более 5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.415ТУ.
Зарубежный аналог: FLC253, FLM7177-5, IM7984-6, FLM7177-4C, FLM7177-8C, FLM7785-4C, MA4F300-500.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П915А-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
15 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2П769В
Транзистор 2П769В полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 100 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц.
Транзистор предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF540.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П769В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ983Б
Транзисторы СВЧ КТ983Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, линейные.
Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 40...860 МГц при напряжении питания 25 В.
Используются для работы в электронной аппаратуре в УКВ ЧМ и телевизионного вещания.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.527ТУ.
Импортный аналог: PDE1001T, D1-28, D1-12E, D1-12B, D1-7E, BLX98.

Основные технические характеристики транзистора КТ983Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 13 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 900 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 8 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3,6 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1 Вт на частоте 860 МГц.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ983Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
83 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

П606А
Транзисторы П606А германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора с жесткими выводами не более 11,0 г, с гибкими выводами не более 12,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» ЩБ3.365.043ТУ;
  - приемка «5» ЩБ3.365.014ТУ;
  - приемка «9» ЩБ3.365.014ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог:2SA416.

Основные технические характеристики транзистора П606А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2000 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 50... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 130 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
П606А
П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
606 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 601 до 699 - германиевые мощные транзисторы высокой и сверхвысокой частоты;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

МП16
Транзисторы МП16 германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия: СБ0.336.008ТУ1.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Основные технические характеристики транзистора МП16:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 25 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...35;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 15 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2000 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП16
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
16 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты.

2П7229В91
Транзистор 2П7229В91 полевой p-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 130 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-90.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.558ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF9640.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П7229В91
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
229 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2Т504Б
Транзисторы 2Т504Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.110ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.110ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2SD158, 2N6721.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 15 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т504Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т504Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
5 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.