Транзисторы - страница 36

П308М
Транзисторы П308М кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 0,8 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» ЖК3.365.059ТУ1.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
П308М
П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
308 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 301 до 399 - кремниевые мощные транзисторы низкой частоты;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П762Д
Транзисторы 2П762Д полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в ключевых стабилизаторах, в модуляторах импульсных источников электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой аппаратуры.
Выпускаются:
- 2П762А, 2П762В, 2П762Д, 2П762Ж, 2П762И2, 2П762К, 2П762Л, 2П762М, 2П762Н в плоском металлокерамическом корпусе с ленточными выводами,
- 2П762Б1, 2П762Г1, 2П762Е1, в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами, 2П762И2 в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами и винтом,
- 2П762Г1-5, 2П762Е1-5, 2П762И2-5 бескорпусные на общей пластине неразделенные с контактными площадками без выводов или разделенные на кристаллы.
Тип прибора указывается на корпусе или в этикетке.
Масса транзистора в плоском металлокерамическом корпусе не более 5 г, в металлическом - не более 15 г, в металлокерамическом с винтом - не более 9 г, кристалла - не более 0,015 г.
Корпусное исполнение: КТ-57.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.159ТУ;
  - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.159ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П762Д
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
62 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

МП13
Транзисторы МП13 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.
Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия: СБ0.336.007ТУ1.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Основные технические характеристики транзистора МП13:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...55;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП13
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
13 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты.

КТ3101А-2
Транзисторы КТ3101А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой компаундом керамической крышкой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,04 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.064ТУ.
Импортный аналог: LT4746, LT3772, LT3700, LT4400, 2SC3098.

Основные технические характеристики транзистора КТ3101А-2:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4000 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (15В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 35...300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 2,25 ГГц
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3101А-2
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
101 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2Т987А
Транзистор 2Т987А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный.
Предназначен для применения в генераторах и усилителях с мощностью более 45 Вт в полосе частот 0,7...1 ГГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.416ТУ.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т987А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
87 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т837Г
Транзисторы 2Т837Г кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы  предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» аА0.339.411ТУ.
Зарубежный аналог: BD244A.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т837Г:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 120;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т837Г
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т324Б-1
Транзисторы 2Т324Б-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в переключающих устройствах (2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1) и усилителях высокой частоты (2Т324Д-1, 2Т324Е-1).
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,002 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - СБ0.336.021ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т324Б-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
24 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

КТ819А
Транзисторы КТ819А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.189ТУ.
Срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BD663, BD705, TIP41, 2N6288, 2N6289, 2SC1354.

Основные технические характеристики транзистора КТ819А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ819А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
19 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ3129Г9
Транзисторы КТ3129Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.447ТУ/02 .
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SA811C6, 2SB709A, BCF30, BCF70, BCW30, BCW61B, BCW70, BCX71H, BCX71J, BC858B, BC205B.

Основные технические характеристики транзистора КТ3129Г9:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 75 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200... 500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3129Г9
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
129 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2Т964А
Транзистор 2Т964А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный линейный.
Предназначен для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 30...80 МГц при напряжении питания 40 В.
Используются для работы в составе аппаратуры радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе  с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 10,0 г.
Тип корпуса: КТ-19-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.199ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.199ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: SD1499-1, TH415.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т964А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
64 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т933Б
Транзисторы 2Т933Б  кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.087ТУ.
Зарубежный аналог: DTL3502.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т933Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 75 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 0,5 мА (80В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 30;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,75 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т933Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
33 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ659А
Транзистор КТ659А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.
Предназначен для применения в высокоскоростных переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.631ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог:  MPS3725, 2N3737, BSW27, BSW28.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ659А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
59 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

МП42А
Транзисторы МП42А германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения, усиления и преобразования сигнала в аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.634ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N1353, 2N581, ASY26, ASY33, ASY34.

Основные технические характеристики транзистора МП42А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...50;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП42А
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
42 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ712А
Транзисторы КТ712А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.670ТУ.
Срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: MJH11019, BDX54F.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ712А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц;
12 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т624АМ-2
Транзисторы кремниеые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием на керамическом 2Т624А-2 и металлическом 2Т624АМ-2, 2Т624АМ-2Н кристаллодержателях с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
   - 2Т624А-2 не более 0,015 г,
   - 2Т624АМ-2, 2Т624АМ-2Н не более 0,004 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - Я53.365.022ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC731, BSX12, 2SC1169, 2SC1965.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т624АМ-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 450 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (30В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...180;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 9 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 18 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т624АМ-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
24 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ859А
Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный.
Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.554ТУ.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC4426K, 2SD841.

Основные технические характеристики транзистора КТ859А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 800 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (800В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,5 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 3500 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ859А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
59 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ3107К
Транзисторы КТ3107К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Вариант 2 - на корпусе наносится условная маркировка - две цветные точки:
   - КТ3107А - голубая и розовая;
   - КТ3107Б - голубая и жёлтая;
   - КТ3107В - голубая и синяя;
   - КТ3107Г - голубая и бежевая;
   - КТ3107Д - голубая и оранжевая;
   - КТ3107Е - голубая и цвета электрик;
   - КТ3107Ж - голубая и салатовая;
   - КТ3107И - голубая и зелёная;
   - КТ3107К - голубая и красная;
   - КТ3107Л - голубая и серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.170ТУ/04.
Гарантийный срок сохраняемости - 12 лет.
Импортный аналог: 2SA640, 2SA750, 2SA1033D, BC212C, BC213C, BC308C, BC321C, BC454C, BC455C, BC526C.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3107К
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
107 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ969А
Транзисторы КТ969А кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 0,8 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.443ТУ/03.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BF419.

Основные технические характеристики транзистора КТ969А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 6 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 300 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не 50 нА (200В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,8 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 60 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ969А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ8130В
Транзисторы КТ8130В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Импортный аналог: 2N6036.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8130В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
130 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П903А
Транзисторы 2П903А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные.
Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ЖК3.365.242ТУ;
  - приемка «ОС» ЖК3.365.242ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.
Зарубежный аналог: CP651, CP664, CP665, CP666.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П903А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 6 Вт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 5... 12 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 700 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 700 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,05 мА;
• S - Крутизна характеристики: 85... 140 мА/В (8В);
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 10 Ом;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7,6 дБ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П903А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.