Транзисторы - страница 74

КТ925А
Транзисторы КТ925А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Используются для работы в бортовой аппаратуре подвижных средств радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.074ТУ.
Импортный аналог: C3-12, 2SC1001.

Основные технические характеристики транзистора КТ925А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 7 мА (36В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 8;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6,3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 2 Вт на частоте 320 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ925А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ203АМ
Транзисторы КТ203АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются цветным кодом.
Боковая поверхность корпуса у всех транзисторов окрашивается темно-красным.
Цвет маркировочной метки на торце корпуса:
   - для КТ203АМ - тёмно-красный,
   - для КТ203БМ - жёлтый,
   - для КТ203ВМ - тёмно-зелёный.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» ЩЫ3.336.001ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N3565, 2N3565, 2N3565, MPS2711.

Основные технические характеристики транзистора КТ203АМ:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 9.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ203АМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т818В2
Транзисторы 2Т818В2 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» аА0.339.557ТУ.
Зарубежный аналог: TIP74C, BD744C.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т818В2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
18 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ6127Е
Транзисторы КТ6127Е кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные со статической индукцией структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключателях в бесконтактных коммутирующих устройствах, в схемах управления электродвигателями, в быстродействующих ключевых схемах с низким напряжением насыщения, в тахометрах для автомобилей, в реле поворотов, в блоках питания.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом, на корпус наносится условная маркировка в виде знака и буквы соответствующей группы:
   - КТ6127А - А,
   - КТб127Б - Б,
   - КТ6127В - В,
   - КТ6127Г - Г,
   - КТ6127Д - Д,
   - КТ6127Е - Е,
   - КТ6127Ж - Ж,
   - КТ6127И - И,
   - КТ6127К - К.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: АДБК.432140.519ТУ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ6127Е
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
127 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ203ВМ
Транзисторы КТ203ВМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются цветным кодом.
Боковая поверхность корпуса у всех транзисторов окрашивается темно-красным.
Цвет маркировочной метки на торце корпуса:
   - для КТ203АМ - тёмно-красный,
   - для КТ203БМ - жёлтый,
   - для КТ203ВМ - тёмно-зелёный.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» ЩЫ3.336.001ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог:  MPS9600.

Основные технические характеристики транзистора КТ203ВМ:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (15В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30... 200;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 25 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ203ВМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ837И
Транзисторы КТ837И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.403ТУ/03.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N6132.

Основные технические характеристики транзистора КТ837И:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ837И
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т934А
Транзисторы СВЧ 2Т934А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в аппаратуре стационарных и подвижных средств радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.004ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.004ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N5635, A5916.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т934А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 5 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 9 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 3 Вт на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т934А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
34 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т3101А-2
Транзисторы 2Т3101А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой компаундом керамической крышкой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,04 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - СБ0.336.064ТУ.
Зарубежный аналог: LT4746, LT3772, LT3700, LT4400, 2SC3098.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3101А-2:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4000 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (15В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 35...300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 2,25 ГГц
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т3101А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
101 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2П767А9
Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор.
Транзистор 2П767А9 предназначен для работы в высокочастотных импульсных источниках питания, системах преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотных генераторах для индукционного нагрева, ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях, периферийных устройствах для компьютеров, оборудовании для телекоммуникаций.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-89 (TO-252).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRFR220.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П767А9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
67 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КТ382А
Транзисторы КТ382А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Выпускаются в металлостеклокерамическом с гибкими полосковыми выводами.
На крышке корпуса наносится условная маркировка цветным кодом:
   - КТ382А - две черные точки;
   - КТ382Б - две красные точки.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-14.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - СБ3.365.123ТУ.
Импортный аналог: MM8015, MMT2857, MMT2857,  2N5032.

Основные технические характеристики транзистора КТ382А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 330;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ382А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
82 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ840А
Транзисторы КТ840А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения во вторичных источниках питания, высоковольтных ключевых схемах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.442ТУ.
Импортный аналог: BU606, BUY18, 2N5840, 2N6543, 2SD811, BUS21A, BUS21B, BU326.

Основные технические характеристики транзистора КТ840А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 900 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (900В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ840А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
40 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП768В
Транзистор КП768В кремниевый полевой эпитаксиально-планарный с каналом n-типа переключательный.
Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.743ТУ.
Импортный аналог:  IRF722.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП768В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т363А
Транзисторы 2Т363А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ЩТ0.336.008ТУ;
  - приемка «ОСМ» ЩТ0.336.008ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N4260, 2SA800.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т363А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 1000 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 35 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 50 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т363А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
63 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ919А
Транзисторы КТ919А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом, обозначение типа транзистора приводится на верхней части корпуса.
Маркируются цифро-буквенным и цветовым кодом на корпусе транзистора.
Условное обозначение транзисторов:
  - КТ919А - буква «А»;
  - КТ919Б - буква «Б»;
  - КТ919В - буква «В»;
  - КТ919Г - буква «Г».
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.034ТУ.
Импортный аналог: MSC2005M, 2N5596, NEM200394.

Основные технические характеристики транзистора КТ919А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,7 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (45В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 3,5 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2,2 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ919А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
19 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП934А
Транзисторы КП934А кремниевые планарные полевые со статической индукцией и каналом n-типа.
Предназначены для применения в источниках вторичных электропитания, в высоковольтных ключевых устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - аА0.336.865ТУ.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП934А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
34 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ388БМ-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе КТ388БМ-2 и без кристаллодержателя КТ388Б-2.
Выпускаются в сопроводительной таре с возможностью измерения параметров без извлечения их из тары.
Коллектор электрически соединен с кристаллодержателем.
Тип прибора указывается на корпусе сопроводительной тары.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.300ТУ.
Импортный аналог: PN3250.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ388БМ-2
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
88 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ8170Б1
Транзистор n-p-n КТ8170Б1 мощный высоковольтный биполярный.
Предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» АДБК.432140.603ТУ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8170Б1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
170 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т9125АС
Транзисторная сборка 2Т9125АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 100...500 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
Используется в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки.
Тип корпуса: КТ-45.
Масса сборки не более 10,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.669ТУ.
Зарубежный аналог: NEM054029-12, C2M50-28.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики 2Т9125АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 660 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (55В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не более 110;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ на частоте 500 МГц;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 500 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 20 нс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9125АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
125 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2П829Е9
Транзисторы 2П829Е9 кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные.
Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом SMD-корпусе для поверхностного монтажа с плоскими контактными площадками, расположенными по всей плоскости транзистора.
Тип корпуса: КТ-95 (SMD-2).
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П829Е9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КТ3151Е9
Транзисторы КТ3151Е9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46 (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.626ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N2246.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3151Е9
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
151 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.