Транзисторы - страница 88

КТ805ВМ
Транзисторы КТ805ВМ кремниевые эпитаксиально-мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.341ТУ/03.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BD720.

Основные технические характеристики транзистора КТ805ВМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ805ВМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
05 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П980А
Транзистор 2П980А кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 6,5 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц.
Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 28 В.
Транзистор 2П980А изготовлен по LDMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.316ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: D2053UK фирмы Semelab.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П980А:
(условия измерения: РВХ ≤ 0,54 Вт, UСИ = 28 В, f = 860 МГц, IС ≤ 70 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 6,5 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 11 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 40 % (минимальный);
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Рабочая частота f - 1 ГГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П980А:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 16 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 1,5 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П980А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
80 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ955А
Транзисторы КТ955А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1».
Тип корпуса: КТ-30.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.496ТУ.
Импортный аналог: S10-28, 2SC2394.

Основные технические характеристики транзистора КТ955А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 20 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 100 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10...80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 20 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 30 МГц.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ955А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
55 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ926Б
Транзисторы КТ926Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных модуляторах в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Тип корпуса: КТ-10.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.229ТУ.
Импортный аналог: 2N1904, BUY72.

Основные технические характеристики транзистора КТ926Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 150 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (150В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0.25 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ926Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
26 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т208В9
Транзисторы 2Т208В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для работы в импульсных и линейных схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип корпуса: 4601.3-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.545ТУ.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т208В9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2П769Г
Транзистор 2П769Г полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 50 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П769Г
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П829Ж
Транзисторы 2П829Ж кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные.
Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-43А-1.01.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П829Ж
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П769Д91
Транзистор 2П769Д91 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-90 (TO-263).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П769Д91
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КТ844А
Транзисторы КТ844А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах  радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.575ТУ.
Импортный аналог: UPT732, BD253A.

Основные технические характеристики транзистора КТ844А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 250 В (0.01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (250В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 2000 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ844А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
44 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ837С
Транзисторы КТ837С кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.403ТУ/03.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BD225, 2N6125, 2N6108.

Основные технические характеристики транзистора КТ837С:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ837С
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
С - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ9104А
Транзисторы КТ9104А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в полосе частот 350...700 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 29 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Транзисторы содержат внутреннее LC-звено.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 10,0 г.
Тип корпуса: КТ-42.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.718ТУ.
Импортный аналог: MRA0610-3, NE080481E-12.

Основные технические характеристики транзистора КТ9104А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 600 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (50В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 8 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 5 Вт на частоте 700 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 20 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ9104А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
104 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П767Ж2
Транзистор 2П767Ж2 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: КТ-28А-2.02.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Зарубежный аналог: IRFY240C.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П767Ж2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
67 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

3П604Б-2
Транзисторы 3П604Б-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шоттки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
   - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
   - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
   - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.  
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.476ТУ.
Зарубежный аналог: FLK012WF, FLK022XP, FLK022XV, DXL3605-P100F, MA4F005-500.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П604Б-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2Т988А
Транзисторы 2Т988А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в схеме с общей базой в непрерывном и импульсном режиме в полосе частот 0,7...1 ГГц для 2Т988А, 0,9...1,4 ГГц для 2Т988Б при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.426ТУ.
Зарубежный аналог: MRF892, MRF843, MRF843F, MRF873, MRF840, D12-28G.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т988А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
88 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

3П930В-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 5,7-6,3 ГГц.
Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 10 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.735ТУ.
Зарубежный аналог: MGFC41V5964, MSM5964-10.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П930В-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2П7160В
Транзисторы 2П7160В мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97В, масса не более 8,5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или  
максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т9196А2
Кремниевые мощные импульсные СВЧ транзисторы 2Т9196А-2 с рассеиваемой мощностью более 350 Вт и с граничной частотой коэффициента передачи тока более 1 ГГц.
Используются для систем опознавания  в бортовой, авиационной и ракетно-космической технике.
Транзисторы имеют золотую контактную металлизацию, обладают высокой надежностью.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Тип корпуса: КТ-61.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.210ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т9196А2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
196 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П923Б
Транзисторы 2П923Б полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Полевые транзисторы  предназначены для применения в генераторах и усилительных устройствах на частотах до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе  с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 8,0 г.
Тип корпуса: КТ-55.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.605ТУ.
Зарубежный аналог: F2002, F2013/H, VN1204N1, F1053, ST1053.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П923Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
23 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т974Г
Транзисторы 2Т974Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в импульсных и линейных устройствах и преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.287ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.287ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: MRF547, MRF549, BC313A, BC361.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т974Г
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
74 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

ПП9138А
Транзистор ПП9138А мощный нитрид-галлиевый СВЧ-транзистор с выходной мощностью 15 Вт в диапазоне частот до 4000 МГц.
Предназначен для работы в усилительных каскадах L-, S- и C-диапазона частот в стационарной и бортовой радиоаппаратуре с напряжением питания 28 В.
За счёт малых значений паразитных параметров транзистор обладает повышенными эксплуатационными и энергетическими характеристиками и предназначен как для непрерывного, так и для импульсного режимов работы.
Транзистор ПП9138А используется в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-81С.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432140.540ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: CGH35015F фирмы Cree.

Основные технические характеристики СВЧ-транзистора ПП9138А:
  ● Выходная мощность РВЫХ - 15 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 11 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный);
  ● Диапазон частот до 4000 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора ПП9138А:
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 2 А;
  ● Максимально допустимый прямой ток затвора, IЗ ПР МАКС ........ 6 мА;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 130 В;
  ● Напряжение затвор-исток, UЗИ ........ от -10 до +2 В;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 1,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
ПП9138А
П - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где П - соединения прочих металлов, категория качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
138 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.