Транзисторные сборки - страница 3

2ТС843А
Транзисторная сборка 2ТС843А состоит из четырех переключающих кремниевых мезапланарных структур n-p-n транзисторов.
Предназначена для применения в источниках вторичного электропитания в системах автоматического управления.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Корпус металлический с жесткими выводами.
Масса сборки не более 13 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия: аА0.339.325ТУ.
Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ТС843А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
43 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П7247ВР9
Транзисторная сборка 2П7247ВР9 состоящая из комплементарной пары переключательных полевых транзисторов с n- и p-каналами.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П7247ВР9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
247 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
Р - буква обозначает, что транзисторы по электрическим параметрам подобраны в пары.
9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2П9120ВС
Транзисторная сборка 2П9120ВС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 1200 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначена для применения в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средствах радиосвязи при напряжении питания 50 В.
Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзисторная сборка 2П9120ВС используется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-2.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.695ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: BLF578 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П9120ВС:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 1200 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС – 45 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9120ВС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1937 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 41 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,08 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П9120ВС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
120 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2П7241ГС9
Транзисторная сборка 2П7241ГС9 состоящая из пары p-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П7241ГС9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
241 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Г - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КТ9152А
Транзисторная сборка КТ9152А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-82.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432153.007ТУ.
Импортный аналог: 2SC3660, MRF1090MB, MRF1090MA, SD1560.

Основные технические характеристики транзистора КТ9152А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 246 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 24 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мА (55В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ на частоте 860 МГц;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 860 МГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9152А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
152 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П7240ГС9
Транзисторная сборка 2П7240ГС9 состоящая из пары n-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П7240ГС9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
240 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Г - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2Т689АС
Транзисторная матрица 2Т689АС состоящая из p-n-p биполярных переключательных импульсных  транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Предназначена для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» аА0.339.758ТУ;
  - приёмка «ОСМ» аА0.339.758ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N3799.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т689АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
89 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2ТС393А-1
Транзисторные сборки 2ТС393А-1, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторные сборки бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей проводить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Масса бескорпусной сборки не более 0,005 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ХМ3.363.000ТУ.

Гарантийный срок хранения - 15 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 75000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС393А-1:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 20 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  10 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0.1 мкА (10В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 180;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 60 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 60 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 80 пс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ТС393А-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
93 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусная транзисторная сборка с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

2ПС202А-1
Транзисторная сборка 2ПС202А-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя (подложки).
Упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров транзисторов.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Сдвоенные транзисторы выпускаются также без кристаллодержателя в виде двух одинаковых транзисторов, подобранные по основным электрическим параметрам.
Масса сборки не более 0,5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ТФ0.336.010ТУ.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 100000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ПС202А-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусная транзисторная сборка с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

2П7247ГР9
Транзисторная сборка 2П7247ГР9 состоящая из комплементарной пары переключательных полевых транзисторов с n- и p-каналами.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П7247ГР9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
247 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Г - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
Р - буква обозначает, что транзисторы по электрическим параметрам подобраны в пары.
9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КТ9182А
Транзисторная сборка КТ9182А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса «АВ» в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-82.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Импортный аналог: SD1492.

Основные технические характеристики транзистора КТ9182А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 300 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 24 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мА (55В);
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 860 МГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9182А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
182 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТС613Б
Транзисторные матрицы КТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса матрицы не более 4 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - Я50.336.007ТУ.

Основные технические характеристики транзисторной сборки КТС613Б:
• Структура транзисторной сборки: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 800 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 100 нс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТС613Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
13 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2ПЕ103АС9
Транзисторная сборка 2ПЕ103АС9 состоящая из комплементарной пары полевых транзисторов  с n- и p-каналами.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Корпусное исполнение: МК 5205.8-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.686ТУ.
Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

2ПЕ102АС9
Транзисторная сборка 2ПЕ102АС9 состоящая из пары полевых транзисторов с p- каналами..
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Корпусное исполнение: МК 5205.8-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.686ТУ.
Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

КТ9147АС
Транзисторная сборка КТ9147АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса С в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 200...400 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-82.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».

Основные технические характеристики КТ9147АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 233 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 29 А;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 160 Вт на частоте 400 МГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9147АС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
147 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

КТС3103А1
Транзисторные сборки КТС3103А1 состоящие из двух p-n-p усилительных высокочастотных маломощных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в 8-выводном пластмассовом корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа в отверстия печатной платы.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Корпус типа 2101.8-1, масса не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: УХЛ2.1 по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: аА0.336.221ТУ.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТС3103А1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т9101АС
Транзисторные сборки 2Т9101АС состоят из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 350...700 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Сборка содержит внутренние согласующие LС-звенья для каждого транзистора.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.523ТУ.
Зарубежный аналог: FJ0880-28, J02058.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики 2Т9101АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 130 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мА (50В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 150 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 700 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 45 нс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9101АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
101 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2П7241ВС9
Транзисторная сборка 2П7241ВС9 состоящая из пары p-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П7241ВС9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
241 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2ТС622А1
Транзисторные матрицы 2ТС622А1, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» И93.456.001ТУ/Д1;
  - приемка «ОС» И93.456.001ТУ/Д1, аА0.339.190ТУ.
Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: 2N3905.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ТС622А1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
22 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2ТС3103Б
Транзисторные сборки 2ТС3103Б, состоящие каждая из двух кремниевых планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 1,5 г.
Тип корпуса: 3101.8-1 (ТО-99).
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» аА0.339.031ТУ;
  - приёмка «ОСМ» аА0.339.031ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ТС3103ББ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.