Транзисторные сборки - страница 4

КТ9155Б
Транзисторная сборка КТ9155Б из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150...860 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются  в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 10,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ОТК».
Импортный аналог: J0850-28, DBL45-12.

Основные технические характеристики транзистора КТ9155Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 35 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ на частоте 860 МГц;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 860 МГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9155Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
155 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П998БС
Транзисторная сборка 2П998БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры с напряжением питания 28 В.
Транзисторная сборка 2П998БС изготовлена по LDMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.541ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: LB401 фирмы Polyfet.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П998БС:
(условия измерения: РВХ ≤ 4,7 Вт, UСИ = 28 В, f = 500 МГц, IС ≤ 1,3 А)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 15 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 60 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П998БС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 200 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 18 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 9,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П998БС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
98 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т9105АС
Транзисторные сборки 2Т9105АС состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100...500 МГц при напряжении питания 28 В.
Сборка содержит внутренние LС-звенья для каждого транзистора.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки.
Тип корпуса: КТ-45.
Масса сборки не более 10,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.529ТУ.
Зарубежный аналог: NEM050029-28.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики сборки 2Т9105АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 160 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 660 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 120 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не более 160;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 500 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 12 нс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9105АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
105 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2ПЕ101АС9
Транзисторная сборка 2ПЕ101АС9 состоящая из пары полевых транзисторов с n- каналами.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Корпусное исполнение: МК 5205.8-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.686ТУ.
Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

2ПС202Г-1
Транзисторная сборка 2ПС202Г-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя (подложки).
Упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров транзисторов.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Сдвоенные транзисторы выпускаются также без кристаллодержателя в виде двух одинаковых транзисторов, подобранные по основным электрическим параметрам.
Масса сборки не более 0,5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ТФ0.336.010ТУ.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 100000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ПС202Г-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Г - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусная транзисторная сборка с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

2ТС622Б
Транзисторные матрицы 2ТС622Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» И93.456.001ТУ;
  - приемка «ОС» И93.456.001ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС622Б:
• Структура транзисторной сборки: p-n-p;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 35 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25...150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,25 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 200 нс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ТС622Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
22 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т9125АС
Транзисторная сборка 2Т9125АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 100...500 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
Используется в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки.
Тип корпуса: КТ-45.
Масса сборки не более 10,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.669ТУ.
Зарубежный аналог: NEM054029-12, C2M50-28.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики 2Т9125АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 660 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (55В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не более 110;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ на частоте 500 МГц;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 500 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 20 нс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9125АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
125 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т9164АС
Транзисторная сборка 2Т9156АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n мощных СВЧ импульсных генераторных транзисторов с общей базой.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 1030-1090 МГц аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.101ТУ.
Функциональный аналог: SD1552 (STM), PH1090-350L (M/A Com), MSC1350M (Microsemi).

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ, И = 300 Вт;
- Напряжение питания UП = 50 В;
- Рабочая частота f = 1030, 1090 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
- КПД коллектора ηК≥35%;
- Скважность импульса Q = 10;
- Длительность импульса τИ = 32 мкс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9164АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
164 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2ТС393А-1Н
Транзисторные сборки 2ТС393А-1Н, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторные сборки бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей проводить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Масса бескорпусной сборки не более 0,005 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ХМ3.363.000ТУ, РМ 11 091.926.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 75000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС393А-1Н:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 20 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  10 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0.1 мкА (10В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 180;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 60 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 60 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 80 пс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ТС393А-1Н
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
93 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусная транзисторная сборка с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
Н - буква указывает на различие корпусов одного типа по материалу покрытия выводов.

КТ9156БС
Транзисторная сборка КТ9156БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 650-1000 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 10,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ОТК».
Зарубежный аналог: MRA0510-50H.

Основные технические характеристики транзистора КТ9156БС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 94 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 66 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ на частоте 1 ГГц;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 1 ГГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9156БС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
156 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

КТ9105АС
Транзисторные сборки КТ9105АС состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100...500 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Сборка содержит внутренние LС-звенья для каждого транзистора.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Тип корпуса: КТ-45.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - аА0.336.719ТУ.
Импортный аналог: BAL0105-100, MRA0610-100, NEM050029-28.

Основные технические характеристики КТ9105АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 133 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 660 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 120 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не более 160;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 500 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 12 нс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9105АС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
105 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2П826АС
Транзисторная сборка 2П826АС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 600 Вт в диапазоне частот до 30 МГц.
Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В.
Транзистор 2П826АС изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-102-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.367ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: MRF154, MRF157 фирмы M/A-СОМ, VRF157 фирмы Microsemi.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П826АС:
(условия измерения: РВХ ≤ 24 Вт, UСИ = 50 В, f = 30 МГц, IС ≤ 800 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 600 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 50 В;
  ● Рабочая частота f - 30 МГц;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 14 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П826АС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±40 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 125 В;
  ●Максимально допустимое напряжение питания стока ........ 50 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 735 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 60,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 75,0 г.

КТ9155А
Транзисторная сборка КТ9155А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150...860 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются  в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 10,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ОТК».
Импортный аналог: MRF892.

Основные технические характеристики транзистора КТ9155А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 43 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 35 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6,5 дБ на частоте 860 МГц;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 15 Вт на частоте 860 МГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9155А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
155 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ9153АС
Транзисторные сборки КТ9153АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой в диапазоне частот 390...840 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ОТК».

Основные технические характеристики транзистора КТ9153АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 50 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7,8 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 15 Вт на частоте 390...640 МГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9153АС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
153 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

КТ9153БС
Транзисторные сборки КТ9153БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой в диапазоне частот 390...840 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ОТК».
Зарубежный аналог: TPV5051.

Основные технические характеристики транзистора КТ9153БС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 94 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 66 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 615...840 МГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9153БС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
153 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2ПС202В-1
Транзисторная сборка 2ПС202В-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя (подложки).
Упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров транзисторов.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Сдвоенные транзисторы выпускаются также без кристаллодержателя в виде двух одинаковых транзисторов, подобранные по основным электрическим параметрам.
Масса сборки не более 0,5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ТФ0.336.010ТУ.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 100000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ПС202В-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусная транзисторная сборка с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

2Т687БС-2
Транзисторные сборки 2Т687БС-2 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих транзисторов.
Предназначены для применения в импульсных линейных усилителях и преобразователях.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные в керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами.
   - 2Т687АС-2 - маркируются черной точкой,
   - 2Т687БС-2 - маркируются белой точкой.
Тип сборки указывается на этикетке.
Масса сборки не более 3,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.679ТУ.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т687БС-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
87 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусная транзисторная сборка с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2ПС104Д
Транзисторная сборка 2ПС104Д состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.033ТУ.
Зарубежный аналог: UC2147, BFS21.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 80000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики 2ПС104Д:
• Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,8... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 3 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 1 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ПС104Д
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Д - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П980БС
Транзисторная сборка 2П980БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц.
Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 32 В.
Транзисторная сборка 2П980БС изготовлена по LDMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.316ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: BLF861A (Philips), MRF374A (Freescale).

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П980БС:
(условия измерения: РВХ ≤ 15 Вт, UСИ = 32 В, f = 860 МГц, IС ≤ 1,3 А)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 45 % (минимальный);
  ● Напряжение питания UСИ - 36 В;
  ● Рабочая частота f - 1 ГГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П980БС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 200 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 18 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П980БС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
80 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

КП9120БС
Транзисторная сборка КП9120БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 1000 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначена для применения в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средствах радиосвязи при напряжении питания 50 В.
Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзисторная сборка КП9120БС используется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-2.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: MRF6VP41XHR6 фирмы Freescale Semiconductor.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9120БС:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 1000 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 18 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС – 45 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9120БС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1550 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 38 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,1 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КП9120БС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
120 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.