Транзисторы биполярные - страница 12

КТ848А
Транзисторы КТ848А кремниевые меза-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в электронных схемах зажигания автомобильной радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.539ТУ.
Импортный аналог: , BU608, BUX37, 2SD641, SK3995.

Основные технические характеристики транзистора КТ848А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 35 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ848А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
48 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ818Б
Транзисторы КТ818Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.188ТУ.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N6132, 2SB754, BD202, BD294, BD706, BD950, BDT92, BD500, BD534.

Основные технические характеристики транзистора КТ818Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ818Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
18 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т819А2
Транзисторы 2Т819А2 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» аА0.339.557ТУ.
Зарубежный аналог: BD743C, BD911.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т819А2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т819А2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
19 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ3102ДМ
Транзисторы КТ3102ДМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, малой мощности, высокой частоты.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вариант 2 - зелёной меткой на боковой поверхности корпуса и на торце корпуса цветной маркировочной меткой:
   - КТ3102АМ - тёмно-красной,
   - КТ3102БМ - жёлтой,
   - КТ3102ВМ - тёмно-зелёной,
   - КТ3102ГМ - голубой,
   - КТ3102ДМ - синей,
   - КТ3102ЕМ - белой,
   - КТ3102ЖМ - две тёмно-красные,
   - КТ3102ИМ - две жёлтые,
   - КТ3102КМ - две тёмно-зелёные.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.122ТУ/03.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BC452, BC547A.

Основные технические характеристики транзистора КТ3102ДМ:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,015 мкА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200... 500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 1 кГц
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3102ДМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
102 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ972Г
Транзисторы КТ972Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.
Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.452ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 15 лет со дня изготовления.

Основные технические характеристики транзистора КТ972Г:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 0,3 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 5000;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,9 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 200 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ972Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
72 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т922А
Транзисторы СВЧ 2Т922А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» И93.365.027ТУ;
  - приемка «ОСМ» И93.365.027ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N5641, MRF5174.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т922А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 2 мА (65В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 5 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т922А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
22 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т955А
Транзисторы 2Т955А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Тип корпуса: КТ-30.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.122ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC2394.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т955А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 20 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 100 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10...80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 20 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 30 МГц.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т955А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
55 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т879А
Транзисторы 2Т879А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в мощных переключающих устройствах в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 28,0 г.
Тип корпуса: КТ-5 (TO-63).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.609ТУ;
  - приемка «ОС» аА0.339.609ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.
Зарубежный аналог: SDT55407, SDT96404, PT7511, SML96404, SML96304, 2N6281.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т879А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 250 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 75 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (200В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 1,2 мкс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т879А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
79 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т630А
Транзисторы 2Т630А кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Транзисторы 2Т630А, 2Т630Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Транзисторы 2Т630А-5, 2Т630Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,005 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ЮФ3.365.043ТУ;
  - приемка «ОС» ЮФ3.365.043ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: BCW50.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 15000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 30000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т630А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2000 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (90В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т630А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ315В
Транзисторы КТ315В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: КТ-13.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» ЖК3.365.200ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 10 лет.
Импортный аналог: IMBT3903.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ315В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
15 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

П701
Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,0 г, с крепежным фланцем - не более 16,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» ЩЫ0.005.007ТУ;
  - приемка «5» ЩБ3.365.063ТУ;
  - приемка «9» ЩБ3.365.0063ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
П701
П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
701 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 701 до 799 - кремниевые мощные транзисторы высокой и сверхвысокой частоты.

КТ3102Е
Транзисторы КТ3102Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.122ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог:  BCY57, BFX65, BC109CP, BC547B.

Основные технические характеристики транзистора КТ3102Е:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,015 мкА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 400... 1000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 1 кГц
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3102Е
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
102 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ201Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные с ненормированным КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г и нормированным КТ201Д коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - СБ0.336.040ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N2617, 2N1592.

Основные технические характеристики транзистора КТ201Г:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 70...210;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ201Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
01 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т920А
Транзисторы СВЧ 2Т920А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Используются для работы в составе аппаратуры специального назначения подвижных средств радиосвязи.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» И93.365.028ТУ;
  - приемка «ОСМ» И93.365.028ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2SC1603.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т920А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 400 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,25 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 1 мА (36В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 2 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т920А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
20 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т3106А-2
Транзисторы 2Т3106А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 120 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.
Транзисторы 2Т3106А-2, КТ3106А-2 бескорпусные на никелевом кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием на основе кремнийорганического лака.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Транзистор КТ3106А9 выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,003 г, транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,05 г.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.020ТУ.
Зарубежный аналог: 2N6597.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 15 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3106А-2:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (15В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 40;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 120 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т3106А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
106 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ3107А
Транзисторы КТ3107А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Вариант 2 - на корпусе наносится условная маркировка - две цветные точки:
   - КТ3107А - голубая и розовая;
   - КТ3107Б - голубая и жёлтая;
   - КТ3107В - голубая и синяя;
   - КТ3107Г - голубая и бежевая;
   - КТ3107Д - голубая и оранжевая;
   - КТ3107Е - голубая и цвета электрик;
   - КТ3107Ж - голубая и салатовая;
   - КТ3107И - голубая и зелёная;
   - КТ3107К - голубая и красная;
   - КТ3107Л - голубая и серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.170ТУ/04.
Гарантийный срок сохраняемости - 12 лет.
Импортный аналог: BCY70, MPS3703, BC177AP, BC557A, BC177V.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3107А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
107 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ209Г
Транзисторы КТ209Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - на корпус наносится буква: КТ209А - А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1, КТ209В2 - В2, КТ209Г - Г, КТ209Д - Д, КТ209Е - Е КТ209Ж - Ж, КТ209И - И, КТ209К - К, КТ209Л - Л, КТ209М - М.
Вариант 2 - на боковую поверхность корпуса наносится метка серого цвета и на торце метка: КТ209А - темно-красная, КТ209Б - желтая, КТ209В - темно-зеленая, КТ209Г - голубая, КТ209Д - синяя, КТ209Е - белая, КТ209Ж - коричневая, КТ209И - серебристая, КТ209К - оранжевая, КТ209Л - светло-табачная, КТ209М - серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.065ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: MPS404, 2N1254.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ209Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ826В
Транзисторы КТ826В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.301ТУ.
Импортный аналог: BUI32, 2SC1101.

Основные технические характеристики транзистора КТ826В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ826В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
26 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т919Б
Транзисторы СВЧ 2Т919Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным и цветовым кодом на корпусе транзистора.
Условное обозначение транзисторов:
  - 2Т919А - буква «А» и зеленая точка,
  - 2Т919Б - буква «Б» и черная точка,
  - 2Т919В - буква «В» и белая точка.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ЖК3.365.249ТУ;
  - приемка «ОС» ЖК3.365.249ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.
Зарубежный аналог: LKE21015T.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т919Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,35 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 0,7 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (45В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1,6 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2,2 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т919Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
19 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т324А-1
Транзисторы 2Т324А-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в переключающих устройствах (2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1) и усилителях высокой частоты (2Т324Д-1, 2Т324Е-1).
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,002 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - СБ0.336.021ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т324А-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
24 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).