Транзисторы биполярные - страница 30

КТ712А
Транзисторы КТ712А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.670ТУ.
Срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: MJH11019, BDX54F.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ712А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц;
12 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ326БМ
Транзисторы КТ326БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе цифро-буквенным кодом или коричневой меткой на боковой поверхности корпуса.
На корпусе наносится условная маркировка цветной точкой со стороны коллектора:
   - КТ326АМ - розовой;
   - КТ326БМ - жёлтой.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения  «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.196ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BFX13, PN3640.

Основные технические характеристики транзистора КТ326БМ:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 400 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (100 кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 45... 160;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 450 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ326БМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
26 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ819А
Транзисторы КТ819А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.189ТУ.
Срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BD663, BD705, TIP41, 2N6288, 2N6289, 2SC1354.

Основные технические характеристики транзистора КТ819А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ819А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
19 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т951В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.
Транзистор 2Т951А, 2Т951В предназначен для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении питания 28 В, транзистор 2Т951Б в диапазоне частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В в герметизированной аппаратуре.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Транзистор 2Т951Б используется без фланца корпуса.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзисторов 2Т951А и 2Т951В не более 3,5 г, 2Т951Б без фланца не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.081ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.081ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: BC301.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т951В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
51 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ859А
Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный.
Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.554ТУ.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC4426K, 2SD841.

Основные технические характеристики транзистора КТ859А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 800 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (800В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,5 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 3500 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ859А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
59 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

П210В
Транзисторы П210В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-18.
Масса транзистора не более 37,0 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.483ТУ.
Импортный аналог: 2N456, AD143, AD145.

Основные технические характеристики транзистора П210В:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
П210В
П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
210 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 201 до 299 - германиевые мощные транзисторы низкой частоты;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ825Д
Транзисторы КТ825Д кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.306ТУ.
Импортный аналог: 2N6050, 2N6285, BDX62, BDX64, BDX66, BDX88, BDX88A, MJ2500, MJ4030.

Основные технические характеристики транзистора КТ825Д:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750...18000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ825Д
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ8170А1
Транзистор n-p-n КТ8170А1 мощный высоковольтный биполярный.
Предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» АДБК.432140.603ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ8170А1:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 700 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 9 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5... 25.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8170А1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
170 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т658А-2
Транзисторы 2Т658А-2 кремниевые планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в широкополосных линейных и импульсных усилителях и преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
На крышке транзистора наносится условная маркировка в виде цветной точки:
   - 2Т658А-2 - красная,
   - 2Т658Б-2 - белая,
   - 2Т658В-2 - черная.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.425ТУ.
Зарубежный аналог: MPS536, BFQ32C, PFQ32, NE88912, NE88902, NE88935, NE88941, MRF534, MM4049.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т658А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
58 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

П308М
Транзисторы П308М кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 0,8 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» ЖК3.365.059ТУ1.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
П308М
П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
308 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 301 до 399 - кремниевые мощные транзисторы низкой частоты;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

1Т308А
Транзисторы 1Т308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной меткой.
Тип корпуса: КТЮ-3-4.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:  ЖК3.365.120ТУ.
Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Основные технические характеристики транзистора 1Т308А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 90 МГц
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...75 (1В; 10мА)
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В)
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
1Т308А
1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ969А
Транзисторы КТ969А кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 0,8 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.443ТУ/03.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BF419.

Основные технические характеристики транзистора КТ969А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 6 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 300 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не 50 нА (200В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,8 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 60 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ969А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т837Е
Транзисторы 2Т837Е кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы  предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» аА0.339.411ТУ.
Зарубежный аналог: BD544.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т837Е:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 180;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т837Е
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ841А
Транзисторы КТ841А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.654ТУ.
Импортный аналог: 2N6560, 2SC2122, BDX96, 2N6560.

Основные технические характеристики транзистора КТ841А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 600 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (600В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 1000 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ841А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
41 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ3130Г9
Транзисторы КТ3130Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Транзисторы маркируются цветной меткой на корпусе:
   - КТ3130А9 - красной,
   - КТ3130Б9 - желтой,
   - КТ3130В9 - зеленой,
   - КТ3130Г9 - голубой,
   - КТ3130Д9 - синей,
   - КТ3130Е9 - белой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.448ТУ/02.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SC2404, 2SC2405, BCW33, 2SD1161.

Основные технические характеристики транзистора КТ3130Г9:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 400... 1000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3130Г9
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
130 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

П214В
Транзисторы П214В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.123ТУ;
  - приемка «5» СИ3.365.012ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.012ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П214В:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 20;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
П214В
П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
214 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 201 до 299 - германиевые мощные транзисторы низкой частоты;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ720А
Транзистор КТ720А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный.
Предназначен для применения в усилителях мощности низкой частоты в аппаратуре общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» АДБК.432150.105ТУ.
Импортный аналог: MJE712.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ720А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц;
20 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ639Д
Транзисторы КТ639Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 0,7 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.267ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SA505, 2SA780AK 2SA962A, BD229, BSV16.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ639Д
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
39 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т709А
Транзисторы 2Т709А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-8 (ТО-66).
Масса транзистора не более 9,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.141ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.141ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог:BDX86C.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т709А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 мГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 100 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 500.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т709А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

П214Г
Транзисторы П214Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.123ТУ;
  - приемка «5» СИ3.365.012ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.012ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П214Г:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: не нормируется;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
П214Г
П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
214 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 201 до 299 - германиевые мощные транзисторы низкой частоты;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.