Транзисторы биполярные - страница 51

КТ8154А
Транзистор КТ8154А кремниевый, биполярный, структуры n-p-n, высоковольтный, переключательный.
Предназначен для использования в линейных, импульсных схемах, а также в другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.
Выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Импортный аналог: 2SC1141.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8154А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
154 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т321В
Транзисторы 2Т321В кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса:  КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «5» аА0.339.248ТУ;
  - приемка «9» аА0.339.248ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2SA532.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т321В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
21 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ3102ВМ
Транзисторы КТ3102ВМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, малой мощности, высокой частоты.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вариант 2 - зелёной меткой на боковой поверхности корпуса и на торце корпуса цветной маркировочной меткой:
   - КТ3102АМ - тёмно-красной,
   - КТ3102БМ - жёлтой,
   - КТ3102ВМ - тёмно-зелёной,
   - КТ3102ГМ - голубой,
   - КТ3102ДМ - синей,
   - КТ3102ЕМ - белой,
   - КТ3102ЖМ - две тёмно-красные,
   - КТ3102ИМ - две жёлтые,
   - КТ3102КМ - две тёмно-зелёные.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.122ТУ/03.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BC183B, JE9101C, BC123.

Основные технические характеристики транзистора КТ3102ВМ:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,015 мкА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200...500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3102ВМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
102 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т931А
Транзисторы 2Т931А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Тип корпуса: КТ-32.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.037ТУ.
Зарубежный аналог: 2N6369, CM45-12A, CD6105.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т931А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 150 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 250 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 80 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 18 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т931А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
31 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

МП14А
Транзисторы МП14А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.
Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия: СБ0.336.007ТУ1.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Основные технические характеристики транзистора МП14А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...40;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП14А
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
14 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ665Б9
Транзисторы КТ665Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа в отверстия печатной платы.
Маркируются условными знаками:
   - КТ665А9 - КА,
   - КТ665Б9 - КБ.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,07 г.
Тип корпуса: КТ-47 (SOT-89).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.692ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N1777, BCX55, 2SC708.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ665Б9
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
65 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КТ316Г
Транзисторы КТ316Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (КТ316А, КТ316Б, КТ316В).
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - СБ0.336.030ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: ST6130.

Основные технические характеристики транзистора КТ316Г:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ316Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ8116Б
Транзисторы КТ8116Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» АДБК.432140.289ТУ/02.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: TIP121.

Основные технические характеристики транзистора :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 65 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 16 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,2 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 1000;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,7 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8116Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
116 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ808ГМ
Транзисторы КТ808ГМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.240ТУ.
Импортный аналог: 2N5427, 2N6372, 2N6373, 2N5427, BDY18.

Основные технические характеристики транзистора КТ808ГМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 70 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 (80 имп.) В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 2 мА (120В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 125;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ808ГМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т819Б2
Транзисторы 2Т819Б2 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» аА0.339.557ТУ.
Зарубежный аналог: BD743B.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т819Б2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
19 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ8106А
Транзисторы КТ8106А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10,0 г.
Тип корпуса: КТ-43-1 (ТО-218).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - АДБК.432150.155ТУ.
Импортный аналог: BDV66B, MJH6285, BDV66B.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8106А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
106 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ630Г
Транзисторы КТ630Г кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.146 ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SC504, 2SC512, BC140, BC141, BC142, BC286, BFY34, BFY50, BFY55, BFY56, BSW65, BSX45, BSX46, BSY53, BSY54.


Основные технические характеристики транзистора КТ630Г:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 100 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2000 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (90В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ630Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ382Б
Транзисторы КТ382Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Выпускаются в металлостеклокерамическом с гибкими полосковыми выводами.
На крышке корпуса наносится условная маркировка цветным кодом:
   - КТ382А - две черные точки;
   - КТ382Б - две красные точки.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-14.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - СБ3.365.123ТУ.
Импортный аналог: BFW92, MMT2857, BSW92.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ382Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
82 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т837Д
Транзисторы 2Т837Д кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы  предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» аА0.339.411ТУ.
Зарубежный аналог: BD302.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т837Д:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т837Д
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т208Л
Транзисторы 2Т208Л кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ЮФ3.365.035ТУ;
  - приемка «ОС» ЮФ3.365.035ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N1474A.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т208Л:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 150 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (20В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20... 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 1,3 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т208Л
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Л - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ973Б
Транзисторы КТ973Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные.
Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1»аА0.336.453ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 15 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BD466, BD876.

Основные технические характеристики транзистора КТ973Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 1 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 200 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ973Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
73 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т947А
Транзисторы 2Т947А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,1...1,5 МГц при напряжении питания 27 В.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 35,0 г.
Тип корпуса: КТ-5 (TO-63).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.118ТУ.
Зарубежный аналог: 2N2816.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т947А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 200 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 75 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 50 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 100 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10...80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 850 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 250 Вт на частоте 1,5 МГц.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т947А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
47 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

1Т403Е
Транзисторы 1Т403Е германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «5» СИ3.365.023ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.023ТУ/Д6.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: AD155, AD169.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
1Т403Е
1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
4 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 4 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т643А-2
Транзисторы 2Т643А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 2...8 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2, бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзистор 2Т643А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Размер кристалла 0,4х0,4x0,06 мм.
Транзисторы маркируются условным кодом:
   -2Т643А-2 - одной зеленой точкой,
   -2Т643Б-2 - одной желтой точкой.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.138ТУ.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т643А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,1 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 120 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,48 Вт на частоте 8 ГГц.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т643А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
43 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ830А
Транзисторы КТ830А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p, переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - АДБК.432150.125ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N4234, 2N5781.

Основные технические характеристики транзистора КТ830А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (35В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ830А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.