Транзисторы биполярные - страница 56

КТ3115А-2
Транзисторы КТ3115А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначен для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.
Транзисторы бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой керамической крышкой.
Условная маркировка наносится на крышку транзистора у базового вывода:
   - КТ3115А-2 - красная полоска,
   - КТ3115В-2 - желтая полоска,
   - КТ3115Г-2 - синяя полоска,
   - КТ3115Д-2 - белая полоска.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.328ТУ.
Импортный аналог: FJ401, 2N6617.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3115А-2
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
115 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ8131Б
Транзисторы КТ8131Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и ключевых схемах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Импортный аналог: 2N6038.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8131Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
131 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ530А
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор со сверхмалым прямым падением напряжения.
Транзисторы КТ530А предназначены для применения в переключательных, импульсных схемах с низким напряжением насыщения и другой аппаратуре.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: АДБК.432140.943ТУ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ530А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
5 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т874Б
Транзисторы 2Т874Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в схемах источников вторичного электропитания, ключевых схемах.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.571ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.571ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 1582-1008, 1582-1010, 1582-1015.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т874Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 20 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 150 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 50 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (150В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 40;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т874Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
74 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ913В
Транзисторы КТ913В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные, СВЧ.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...1000 МГц при напряжении питания 28 В.
спользуются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
На крышке корпуса наносится условная маркировка цветными точками:
  - КТ913А - красная точка на розовой поверхности;
  - КТ913Б - жёлтая точка на розовой поверхности;
  - КТ913В - чёрная точка на розовой поверхности.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.039ТУ.
Импортный аналог: NE1010E-28, D10P, MRF1008MC, MRF1008MA, MRF1008MB.

Основные технические характеристики транзистора КТ913В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 900 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  1 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (55В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 14 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 10 Вт на частоте 1000 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ913В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
13 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

1Т311Б
Транзисторы 1Т311Б германиевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия: ЖК3.365.158ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т311Б:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  более 300 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...180 при 3В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
1Т311Б
1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
11 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ6117А
Транзистор кремниевый биполярный n-p-n.
КТ6117А предназначен для работы в НЧ-устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания, для электронных систем телефонной связи.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» АДБК.432140.425ТУ.
Импортный аналог: 2N5551.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ6117А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
117 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ209Б
Транзисторы КТ209Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - на корпус наносится буква: КТ209А - А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1, КТ209В2 - В2, КТ209Г - Г, КТ209Д - Д, КТ209Е - Е КТ209Ж - Ж, КТ209И - И, КТ209К - К, КТ209Л - Л, КТ209М - М.
Вариант 2 - на боковую поверхность корпуса наносится метка серого цвета и на торце метка: КТ209А - темно-красная, КТ209Б - желтая, КТ209В - темно-зеленая, КТ209Г - голубая, КТ209Д - синяя, КТ209Е - белая, КТ209Ж - коричневая, КТ209И - серебристая, КТ209К - оранжевая, КТ209Л - светло-табачная, КТ209М - серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.065ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог:  MPS404, 2S3040.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ209Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т826В
Транзисторы 2Т826В кремниевые меза-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Транзистор 2Т826А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20,0 г, кристалла не более 0,01 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.058ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC1101.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т826В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т826В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
26 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ922А
Транзисторы СВЧ КТ922А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в  стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.073ТУ.
Импортный аналог: 2N5641, MRF5174.

Основные технические характеристики транзистора КТ922А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 5 мА (65В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 5 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ922А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
22 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ3132Е-2
Транзисторы КТ3132Е-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
На транзистор наносится условная маркировка двумя точками (точка у базового вывода и точка у коллекторного вывода):
   - КТ3132А-2 - синие,
   - КТ3132Б-2 - красные,
   - КТ3132В-2 - желтые,
   - КТ3132Г-2 - бежевые,
   - КТ3132Д-2 - белые,
   - КТ3132Е-2 - зеленые.
Масса транзистора в держателе не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.564ТУ.
Импортный аналог: DC5404, BFQ33, 499FY(A), 2N6618.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3132Е-2
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
132 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ209Л
Транзисторы КТ209Л кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - на корпус наносится буква: КТ209А - А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1, КТ209В2 - В2, КТ209Г - Г, КТ209Д - Д, КТ209Е - Е КТ209Ж - Ж, КТ209И - И, КТ209К - К, КТ209Л - Л, КТ209М - М.
Вариант 2 - на боковую поверхность корпуса наносится метка серого цвета и на торце метка: КТ209А - темно-красная, КТ209Б - желтая, КТ209В - темно-зеленая, КТ209Г - голубая, КТ209Д - синяя, КТ209Е - белая, КТ209Ж - коричневая, КТ209И - серебристая, КТ209К - оранжевая, КТ209Л - светло-табачная, КТ209М - серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.065ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BC143, MPS404A.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ209Л
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Л - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т904А/ВЭ
Транзисторы 2Т904А/ВЭ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.445ТУ.
Функциональный аналог: 2N3375 (RCA).

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ = 3 Вт;
- Напряжение питания UП = 28 В;
- Рабочая частота f = 400 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥2,5;
- КПД коллектора ηК≥40%.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т904А/ВЭ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ВЭ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2Т3115Б-2
Транзисторы 2Т3115Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.
Транзисторы бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой керамической крышкой.
Условная маркировка наносится на крышку транзистора у базового вывода:
   - 2Т3115А-2 - красная точка,
   - 2Т3115Б-2 - желтая точка,
Транзистор 2Т3115А-6 выпускается в виде кристаллов на кристаллодержателе без выводов.
На кристаллодержатель наносится маркировочная точка красного цвета.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла на кристаллодержателе не более 0,008 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.105ТУ.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т3115Б-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
115 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2Т215В9
Транзисторы 2Т215В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.518ТУ.
Зарубежный аналог: BSW32.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т215В9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
15 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КТ920Г
Транзисторы КТ920Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Используются для работы в бортовой аппаратуре подвижных средств радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.059ТУ.
Импортный аналог: 2N5996, 2N6081, 2N5995, BLY63, BLY88A, MRF660.

Основные технические характеристики транзистора КТ920Г:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 7,5 мА (36В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 15 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ920Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
20 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т682Б-2
Транзисторы 2Т682Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.
Предназначены для применения в малошумящих усилителях с расширенным динамическим диапазоном в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами.
Транзисторы маркируются цветными кодом:
   - 2Т682А-2 - знаком «V» синего цвета у базового вывода,
   - 2Т682Б-2 - знаком «V» черного цвета у базового вывода.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.663ТУ.
Зарубежный аналог: NE57835, 2SC1551, 2SC1552.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т682Б-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
82 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ606Б
Транзисторы КТ606Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - ЩБ3.365.049ТУ.
Импортный аналог:RFD401, MRF62.

Основные технические характеристики транзистора КТ606Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1,5 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,6 Вт на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ606Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
06 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ3132В-2
Транзисторы КТ3132В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
На транзистор наносится условная маркировка двумя точками (точка у базового вывода и точка у коллекторного вывода):
   - КТ3132А-2 - синие,
   - КТ3132Б-2 - красные,
   - КТ3132В-2 - желтые,
   - КТ3132Г-2 - бежевые,
   - КТ3132Д-2 - белые,
   - КТ3132Е-2 - зеленые.
Масса транзистора в держателе не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.564ТУ.
Импортный аналог: HXTR6101.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3132В-2
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
132 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ6127И
Транзисторы КТ6127И кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные со статической индукцией структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключателях в бесконтактных коммутирующих устройствах, в схемах управления электродвигателями, в быстродействующих ключевых схемах с низким напряжением насыщения, в тахометрах для автомобилей, в реле поворотов, в блоках питания.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом, на корпус наносится условная маркировка в виде знака и буквы соответствующей группы:
   - КТ6127А - А,
   - КТб127Б - Б,
   - КТ6127В - В,
   - КТ6127Г - Г,
   - КТ6127Д - Д,
   - КТ6127Е - Е,
   - КТ6127Ж - Ж,
   - КТ6127И - И,
   - КТ6127К - К.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: АДБК.432140.519ТУ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ6127И
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
127 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.