Транзисторы полевые - страница 13

2П829Г
Транзисторы 2П829Г кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные.
Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-43А-1.01.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П829Г
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П303Е
Транзисторы 2П303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - Ц23.365.003ТУ.
Зарубежный аналог: MFE3006, MPF107.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
Наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П303Е:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 5...20 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 4 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П303Е
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П301Б
Транзисторы 2П301Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-14.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ЖК3.365.202ТУ.
Зарубежный аналог: 2N4038, MFE3003.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П301Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным p-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2,7... 5,4 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,5 мкА;
• S - Крутизна характеристики: 1... 2,6 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 3,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 3,5 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 5 дБ на частоте 100 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П301Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П769А
Транзистор 2П769А полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 50 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF520.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П769А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП768А
Транзистор кремниевый полевой эпитаксиально-планарный с каналом n-типа переключательный.
Транзистор КП768А предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.743ТУ.
Импортный аналог: IRF720.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП768А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП302АМ
Транзисторы КП302АМ кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Масса транзистора не более 0,7 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - ЖК3.365.233ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог:  2N3771, SMP6451, TMPF6451, TP6451.

Основные технические характеристики транзистора КП302АМ:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1... 5 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 24 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 24 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА;
• S - Крутизна характеристики: 5... 12 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 1 кГц;
• tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП302АМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П904Б
Транзисторы 2П904Б кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 35,0 г.
Тип корпуса: КТ-5.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» аА0.339.027ТУ;
  - приёмка «ОСМ» аА0.339.027ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: MRF148, BFL175.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П904Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и  индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 75 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 90 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 5 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 350 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 200 мА;
• S - Крутизна характеристики: 250... 520 мА/В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 60 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П904Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П302А
Транзисторы 2П302А кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах  и других схемах аппаратуры специального назначения.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-2-14.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ЖК3.365.204ТУ.
Зарубежный аналог: UC714, 2N3791, SMP6451, TMPF6451, TP6451.

Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П302А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 5 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 24 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 3...24 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА;
• S - Крутизна характеристики: 5... 12 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 1 кГц;
• tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П302А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П609Б
Транзисторы 2П609Б полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде обратно смещенного p-n перехода с каналом n-типа усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, в смесителях в аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.095ТУ.
Зарубежный аналог: BF246B, BF247A, BF24B, BF246A.

Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П609Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП749А
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала.
КП749А предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и  преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.684ТУ.
Импортный аналог: IRF620.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП749А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
49 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП745Г
Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала.
КП745Г пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.680ТУ.
Импортный аналог: IRL530.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП745Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
45 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП707А1
Транзисторы КП707А1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.140ТУ.
Импортный аналог: BUZ60, IRF730, IRF730A, RFP7N40.
Гарантийный срок хранения 10 лет со дня изготовления.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП707А1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П768А9
Транзистор 2П768А9 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 42 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-89 (TO-252).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRFR320.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П768А9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КП303Ж
Транзисторы КП303Ж кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - Ц20.336.601ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N3821, D110-1, 2N3821.

Основные технические характеристики транзистора :
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,3... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 0,3...3 мА;
• S - Крутизна характеристики: 1... 4 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП303Ж
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П303А/ЭА
Транзисторы 2П303А/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ;
  - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N3823, D110-1.

Надежность:
Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П303А/ЭА
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ЭА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

КП103Л1
Транзисторы КП103Л1 кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - ТФ3.365.000ТУ1.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП103К1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П767А9
Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор.
Транзистор 2П767А9 предназначен для работы в высокочастотных импульсных источниках питания, системах преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотных генераторах для индукционного нагрева, ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях, периферийных устройствах для компьютеров, оборудовании для телекоммуникаций.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-89 (TO-252).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRFR220.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П767А9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
67 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КП768В
Транзистор КП768В кремниевый полевой эпитаксиально-планарный с каналом n-типа переключательный.
Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.743ТУ.
Импортный аналог:  IRF722.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП768В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП934А
Транзисторы КП934А кремниевые планарные полевые со статической индукцией и каналом n-типа.
Предназначены для применения в источниках вторичных электропитания, в высоковольтных ключевых устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - аА0.336.865ТУ.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП934А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
34 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П829Е9
Транзисторы 2П829Е9 кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные.
Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом SMD-корпусе для поверхностного монтажа с плоскими контактными площадками, расположенными по всей плоскости транзистора.
Тип корпуса: КТ-95 (SMD-2).
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П829Е9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.