Транзисторы полевые - страница 19

2П305А
Транзисторы 2П305А кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей высокой частоты до 250 МГц, усилителях с высоким входным сопротивлением и  других схемах аппаратуры специального назначения..
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ТФ0.336.001ТУ;
  - приемка «ОСМ» ТФ0.336.001ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: MFE3004, J175, SK103.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П305А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА
• S - Крутизна характеристики: 6... 10 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 250 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6,5 дБ на частоте 250 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П305А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П7160И
Транзисторы 2П7160И мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97С, масса не более 10 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160И
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или  
максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П9111А
Транзистор 2П9111А кремниевый полевой n-канальный мощный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 80 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначен для использования в усилителях мощности, для построения мощных радиопередатчиков в бортовой и наземной аппаратуре связи при напряжении питания 28 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзистор 2П9111А применяется для работы в непрерывном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.626ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: BLF546 фирмы NXP Semiconductors, LR301 фирмы Polyfet.

Основные RF характеристики транзистора 2П9111А:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 1,6 Вт, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 80 Вт (CW);
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 17 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС – 65 % (минимальный), 75 % (типичный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9111А:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В;
  ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 77 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 7,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 2,0 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П9111А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
111 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

ТНГ40025-28
Транзистор ТНГ40025-28 мощный нитрид-галлиевый импульсный СВЧ-транзистор с выходной мощностью 25 Вт в диапазоне частот до 6000 МГц.
Предназначен для работы в усилительных каскадах в стационарной и бортовой радиоаппаратуре с напряжением питания 28 В.
За счёт малых значений паразитных параметров транзистор обладает повышенными эксплуатационными и энергетическими характеристиками.
Транзистор ТНГ40025-28 используется для работы в импульсном режиме в усилителях мощности электронной аппаратуры общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-81С.
Категория качества: «ОТК».

Основные технические характеристики СВЧ-транзистора ТНГ40025-28:
  ● Выходная мощность РВЫХ - 25 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 9 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный);
  ● Диапазон частот до 6000 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора ТНГ40025-28:
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 3,0 А;
  ● Максимально допустимый прямой ток затвора, IЗ ПР МАКС ........ 7 мА;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 80 В;
  ● Напряжение затвор-исток, UЗИ ........ от -10 до +2 В;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 225 °C;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 2,0 г.

2П978В
Транзистор 2П978В кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 20 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В.
Транзистор 2П978В изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-81.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.248ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: BLF544 (Philips), MRF166C, UF2820P (M/A-COM), D1013UK, D1014UK (Semelab), F1007, F1014, F1016 (Polyfet).

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П978В:
(условия измерения: РВХ ≤ 1,3 Вт, UСИ = 28 В, f = 500 МГц, IС ≤ 100 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 20 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Рабочая частота f - 500 МГц;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П978В:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 70 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П978В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
78 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП307А1
Транзисторы КП307А1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - аА0.336.046ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП307А1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П979Б
Транзистор 2П979Б кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 230 МГц.
Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 28 В.
Транзистор 2П979Б изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-56.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.249ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: BLF246B (Philips), DU2860 (M/A-COM), D1003UK, D1023UK (Semelab).

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П979Б:
(условия измерения: РВХ ≤ 7,5 Вт, UСИ = 28 В, f = 230 МГц, IС ≤ 500 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - в 20 раз (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный);
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Рабочая частота f - 230 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П979Б:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 180 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 17,5 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 9,0 г.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П979Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
79 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П978А
Транзистор 2П978А кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 5 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В.
Транзистор 2П978А изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-83.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.248ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: BLF542 (Philips), MRF134, UF2805B (M/A-COM), D2007UK, D2008UK (Semelab), F1034 (Polyfet).

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П978А:
(условия измерения: РВХ ≤ 0,25 Вт, UСИ = 28 В, f = 500 МГц, IС ≤ 50 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 5 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Рабочая частота f - 500 МГц;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 13 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П978А:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 20 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 1,5 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 4,0 г.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П978А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
78 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

3П930Б-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 5,7-6,3 ГГц.
Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 10 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.735ТУ.
Зарубежный аналог: MGFC41V5964, MSM5964-10.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П930Б-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2П923Г
Транзисторы 2П923Г полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Полевые транзисторы  предназначены для применения в генераторах и усилительных устройствах на частотах до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе  с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 8,0 г.
Тип корпуса: КТ-55.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.605ТУ.
Зарубежный аналог: F2005, F2007, MTP5N05.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П923Г
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
23 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П301А/ИУ
Транзисторы 2П301А/ИУ кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-14.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.534ТУ.
Зарубежный аналог: MFE3003.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П303А/ИУ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2П302Б/ИУ
Транзисторы 2П302Б/ИУ кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах и других схемах аппаратуры специального назначения.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-2-14.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.535ТУ.
Зарубежный аналог: 2N5397, SMP6453, TMPF6453, TP6453.

Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П302Б/ИУ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2П303Д/ЭА
Транзисторы 2П303Д/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ;
  - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N3823, SMP5103, TMPF5103, TP5103.

Надежность:
Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П303Д/ЭА
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ЭА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

КП9123Б
Транзистор КП9123Б кремниевый полевой n-канальный линейный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 15 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзистор КП9123Б применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: BLF871 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9123Б:
(условия измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 28 В)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 15 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 15 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент интермодуляционных искажений М3 - минус 30 дБ;
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9123Б:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В;
  ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 46 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 2,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 3 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9123Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
123 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П782Ж1
Транзистор 2П782Ж1 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 125 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9С.
Масса транзистора не более 22,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF044.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П782Ж1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
82 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П794А1
Транзистор 2П794А1 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью 150 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9С.
Масса транзистора не более 22,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П794А1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
94 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

3П604В-2
Транзисторы 3П604В-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шоттки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
   - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
   - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
   - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.  
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.476ТУ.
Зарубежный аналог: DXL-3504A-P70, DXL-3605.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П604В-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2П795А1
Транзистор 2П795А1 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 150 Вт.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9С.
Масса транзистора не более 22,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF450.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П795А1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
95 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П308Г-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы бескорпусные с гибкими выводами и с защитным покрытием без кристаллодержателя.
Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без их извлечения.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - Ц23.365.006ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П308Г-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

КП9110Д
Транзистор КП9110Д кремниевый полевой импульсный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 200 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц.
Предназначен для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзистор КП9110Д используется в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-57А-1.
Категория качества: «ОТК».
  - приемка «1» - АДКБ.432150.521ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLA1011-200R фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики транзистора КП9110Д:
(режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 200 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ;
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9110Д:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 397 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 15,1 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,39 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9110Д
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
110 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.