Транзисторы полевые - страница 23

КП9123А
Транзистор КП9123А кремниевый полевой n-канальный линейный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 0,5 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзистор КП9123А применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-81С.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: BLF871 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9123А:
(условия измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 28 В)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 0,5 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 18 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент интермодуляционных искажений М3 - минус 30 дБ;
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9123А:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В;
  ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 9,3 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 0,4 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 15 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 1,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9123А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
123 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П829Б9
Транзисторы 2П829Б9 кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные.
Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом SMD-корпусе для поверхностного монтажа с плоскими контактными площадками.
Тип корпуса: КТ-106-1.
Тип прибора указывается на корпусе.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П829Б9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КП977А
Транзистор КП977А кремниевый полевой  n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-82.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432140.358ТУ.
Функциональный аналог: MRF275G (M/A Com), D1009UK, D1020UK (Semelab), SP703 (Polyfet).

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП977А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
77 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП9116В
Транзистор КП9116В кремниевый полевой n-канальный балансный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 300 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1090 МГц.
Предназначен для применения в наземной и бортовой радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзистор КП9116В применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-81В-1.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432150.528ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: IB1011S250 фирмы Integra technologies.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9116В:
(условия измерения: f1=1030 МГц, f2=1090 МГц, UСИ=50 В, τИ=320 мкс, Q=50)
  ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 300 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9116В:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1000 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 20,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,15 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 6,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9116В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
116 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П986В
Транзистор 2П986В кремниевый полевой n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц в электронной аппаратуре специального назначения.
Имеет высокое усиление и КПД, встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса:  КТ-55С-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.487ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Функциональный аналог: D2201UK, D2219UK, D2229UK (Semelab); F2246 (Polyfet); D2202UK, D2220UK, D2225UK (Semelab); F2247 (Polyfet); D2207UK, D2211UK, D2254UK (Semelab); F2212 (Polyfet); D2204UK, D2213UK, D2256UK (Semelab); F2213 (Polyfet); MRF1535NT1 (Freescale); D2208UK, D2217UK (Semelab); LK822, LK722, LX521.

Основные RF характеристики:
(режим измерения: f = 1000 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 0,5 Вт, tk ≤ 40 °С)
- Выходная мощность РВЫХ  – 10 Вт (CW);
- Коэффициент усиления по мощности КУР – 10 дБ (мин);
- КПД стока ηС  – 50 % (мин).

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П986В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
86 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П782Ж92
Транзистор 2П782Ж92 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается в металлокерамическом SMD-корпусе для поверхностного монтажа с плоскими контактными площадками.
Тип корпуса: КТ-94 (SMD-1).
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П782Ж92
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
82 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
92 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2П793Б1
Транзистор 2П793Б1 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9С.
Масса транзистора не более 22,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF240.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П793Б1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
93 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П305Г/ИУ
Транзисторы 2П305Г/ИУ кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей высокой частоты до 250 МГц, усилителях с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.536ТУ.
Зарубежный аналог: SK103.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П305Г/ИУ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

КП978В
Транзистор КП978В кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 20 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В.
Транзистор КП978В изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-81.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приёмка «1» - АДКБ.432140.358ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLF544 (Philips), MRF166C, UF2820P (M/A-COM), D1013UK, D1014UK (Semelab), F1007, F1014, F1016 (Polyfet).

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП978В:
(условия измерения: РВХ ≤ 1,3 Вт, UСИ = 28 В, f = 500 МГц, IС ≤ 100 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 20 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Рабочая частота f - 500 МГц;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП978В:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 70 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП978В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
78 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП9123В
Транзистор КП9123В кремниевый полевой n-канальный линейный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 100 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзистор КП9123В применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-57А-1.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: BLF871 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9123В:
(условия измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 28 В)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 100 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент интермодуляционных искажений М3 - минус 30 дБ;
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9123В:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 155 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 5,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,9 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9123В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
123 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП986А
Транзистор КП986А кремниевый полевой n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц.
Имеет высокое усиление и КПД, встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса:  КТ-55С-1.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432150.487ТУ.
Функциональный аналог: D2201UK, D2219UK, D2229UK (Semelab); F2246 (Polyfet); D2202UK, D2220UK, D2225UK (Semelab); F2247 (Polyfet); D2207UK, D2211UK, D2254UK (Semelab); F2212 (Polyfet); D2204UK, D2213UK, D2256UK (Semelab); F2213 (Polyfet); MRF1535NT1 (Freescale); D2208UK, D2217UK (Semelab); LK822, LK722, LX521.

Основные RF характеристики:
(режим измерения: f = 1000 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 0,2 Вт, tk ≤ 40 °С)
- Выходная мощность РВЫХ  – 2 Вт (CW);
- Коэффициент усиления по мощности КУР – 10 дБ (мин);
- Рабочая частота f = 1000 МГц;
- КПД стока ηС  – 50 % (мин).

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП986А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
86 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П7160Д
Транзисторы 2П7160Д мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлостеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Каждый типономинал содержит две группы исполнения:
   - в корпусах с покрытием на основе золота;
   - в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1»).
Тип корпуса: КТ-97С, масса не более 10 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160Д
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или  
максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП9103Б
Транзистор КП9103Б кремниевый полевой линейный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 45 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц.
Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
Выполнен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD) и низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзистор КП9103Б применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ОТК».
  - приемка «1» - АДКБ.432150.522ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: MRF6S9045 фирмы Freescale Semiconductor, Inc.

Основные RF характеристики транзистора КП9103Б:
(режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 32 В, PВХ ≤ 1,13 Вт, tk ≤ 40 °С, класс AB)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 45 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ;
  ● КПД стока ηС - 40 %;
  ● Коэффициент интермодуляционных искажений М3 - минус 25 дБ.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9103Б:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 67 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 3,3 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 2,3 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9103Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
103 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

ТНГ29050-28
Транзистор ТНГ29050-28 мощный нитрид-галлиевый импульсный СВЧ-транзистор с выходной мощностью 50 Вт в диапазоне частот до 3500 МГц.
Предназначен для работы в усилительных каскадах L-, S- и C-диапазона частот в стационарной и бортовой радиоаппаратуре с напряжением питания 28 В.
За счёт малых значений паразитных параметров транзистор обладает повышенными эксплуатационными и энергетическими характеристиками.
Транзистор ТНГ29050-28 используется для работы в импульсном режиме в усилителях мощности электронной аппаратуры общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ОТК».

Основные технические характеристики СВЧ-транзистора ТНГ29050-28:
  ● Выходная мощность РВЫХ - 50 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 11 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 60 % (минимальный);
  ● Диапазон частот до 3500 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора ТНГ29050-28:
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 6 А;
  ● Максимально допустимый прямой ток затвора, IЗ ПР МАКС ........ 15 мА;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 80 В;
  ● Напряжение затвор-исток, UЗИ ........ от -10 до +2 В;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 225 °C;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 6,0 г.

2П986Д
Транзистор 2П986Д кремниевый полевой n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса:  КТ-57А-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.487ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Функциональный аналог: D2201UK, D2219UK, D2229UK (Semelab); F2246 (Polyfet); D2202UK, D2220UK, D2225UK (Semelab); F2247 (Polyfet); D2207UK, D2211UK, D2254UK (Semelab); F2212 (Polyfet); D2204UK, D2213UK, D2256UK (Semelab); F2213 (Polyfet); MRF1535NT1 (Freescale); D2208UK, D2217UK (Semelab); LK822, LK722, LX521.

Основные RF характеристики:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 4 Вт, tk ≤ 40 °С)
- Выходная мощность РВЫХ – 40 Вт (CW);
- Коэффициент усиления по мощности КУР  -10 дБ (мин);
- КПД стока ηС – 50 % (мин).

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П986Д
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
86 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П770П1
Транзистор 2П770П1 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9С.
Масса транзистора не более 22,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П770П1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
70 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
П - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП9110Г
Транзистор КП9110Г кремниевый полевой импульсный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 100 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц.
Предназначен для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзистор КП9110Г используется в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-57А-1.
Категория качества: «ОТК».
  - приемка «1» - АДКБ.432150.521ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLL6H0514L-130 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики транзистора КП9110Г:
(режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 100 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ;
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9110Г:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 203 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 8,8 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,76 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9110Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
110 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П7160Б2
Транзисторы 2П7160Б2 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлокерамических корпусах с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами.
Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).
Тип корпуса: КТ-111А-1.02, масса не более 2,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160Б2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или  
максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП821Б
Транзистор КП821Б кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 30 Вт в диапазоне частот до 230 МГц.
Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В.
Транзистор КП821Б изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-83.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432140.388ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLF242 фирмы Philips, MRF134, DU2805S фирмы M/A-COM.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП821Б:
(условия измерения: РВХ ≤ 750 мВт, UСИ = 28 В, f = 175 МГц, IС ≤ 50 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 30 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП821Б:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 60 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 4,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП821Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
21 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П769Д1
Транзистор 2П769Д1 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для использования в радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9С.
Масса транзистора не более 22,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П769Д1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.