КТ972 биполярные транзисторы Дарлингтона, структуры n-p-n, усилительные

Рис.1 Внешний вид транзисторов КТ972А, КТ972Б, КТ972В, КТ972Г.

Транзисторы КТ972А, КТ972Б, КТ972В, КТ972Г кремниевые эпитаксиально-планарные составные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные (транзисторы Дарлингтона).
Транзисторы серии КТ972 остаются популярными и востребованными элементами современной электроники благодаря своей надежности, доступности и широким эксплуатационным характеристикам.
Используются в радиолюбительской практике и профессиональной электронике.
Предназначены для применения в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Для транзистора КТ972 комплементарной парой является транзистор КТ973.
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Диапазон рабочих температур от - 45 до + 85°C.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: аА0.336.452ТУ.

Корпусное исполнение:

 ●  КТ972 А, Б, В, Г - пластмассовый корпус для объёмного монтажа КТ-27-2 (ТО-126);
 ●  КТ972 А9, Б9, В9, Г9 - пластмассовый корпус для поверхностного монтажа КТ-89 (DPAK).

Рис.2 Установочные и габаритные размеры транзисторов КТ972.

Производитель: АО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь.

Ключевые особенности

●  Высокая мощность
Может выдерживать нагрузку до 1,25 Вт при нормальной температуре и до 8 Вт при наличии радиатора охлаждения.
●  Широкий диапазон рабочих температур
От -45°C до +85°C, что гарантирует надежность работы в экстремальных условиях.
●  Частотный диапазон
Поддерживает частоту до 200 МГц, что расширяет область применения, включая использование в высокочастотных усилителях и устройствах.
●  Прочность конструкции
Выпускаются в прочных пластиковых корпусах (КТ-27 и КТ-89), оснащённых металлической подложкой и жесткими выводами, способствующими эффективному теплообмену и механическому креплению.
●  Простота подключения
Легко управляемые посредством обычных интегральных микросхем, позволяя упрощать проектирование и монтаж электронных схем.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:

КТ972А9
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
72 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

Технические характеристики транзисторов КТ972:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max	UКБ  max	UЭБ  max	РК  max	h21Э	UКЭ нас	UБЭ нас	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ
		А	А	В	В	В	Вт		В	В	мА	мА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
КТ972А	n-p-n	2	4	60	60	5	8	>750	<1,5	<2,5	-	<1	>200	-	-	150	-45…+85
КТ972Б	n-p-n	2	4	45	45	5	8	>750	<1,5	<2,5	-	<1	>200	-	-	150	-45…+85
КТ972В	n-p-n	2	4	60	60	5	8	>750	<1,5	<2,5	-	<1	>200	-	-	150	-45…+85
КТ972Г	n-p-n	2	4	60	60	5	8	>750	<0,95	<1,7	-	<0,3	>200	-	-	150	-45…+85
КТ972А9	n-p-n	2	4	60	60	5	8	>750	<1,5	<2,5	-	<1	>200	-	-	150	-45…+85
КТ972Б9	n-p-n	2	4	45	45	5	8	>750	<1,5	<2,5	-	<1	>200	-	-	150	-45…+85
КТ972В9	n-p-n	2	4	60	60	5	8	>750	<1,5	<2,5	-	<1	>200	-	-	150	-45…+85
КТ972Г9	n-p-n	2	4	60	60	5	8	>750	<0,95	<1,7	-	<0,3	>200	-	-	150	-45…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ972:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКБ max - максимальное напряжение коллектор-база.
• UЭБ max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• UБЭ нас - напряжение насыщения между базой и эмиттером транзистора.
• IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.