Транзисторы КТ829 биполярные, составные, структуры n-p-n, усилительные

Рис.1 Внешний вид транзисторов КТ829 А, Б, В, Г.

Транзисторы КТ829 А, Б, В, Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.
Состоят из двух биполярных транзисторов, соединённых по схеме Дарлингтона, что значительно увеличивает коэффициент усиления по току.
Характеризуются высоким уровнем производительности и надежностью благодаря своей конструкции и технологиям производства.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах, операционных и дифференциальных усилителях, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 3,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК». Технические условия:  аА0.336.292ТУ.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.

Рис.1 Установочные и габаритные размеры транзисторов КТ829 А, Б, В, Г.

Расшифровка маркировки транзистора:

КТ829Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
29 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

Технические характеристики транзисторов КТ829:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	h21Э	UКЭ нас.	IБ	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ
		А	А	В	В	В	Вт		В	А	мА	мА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
КТ829А	n-p-n	8	12	100	-	5	60	>750	<2	0,2	<2	<1,5	>4	<120	-	150	-40…+85
КТ829Б	n-p-n	8	12	80	-	5	60	>750	<2	0,2	<2	<1,5	>4	<120	-	150	-40…+85
КТ829В	n-p-n	8	12	60	-	5	60	>750	<2	0,2	<2	<1,5	>4	<120	-	150	-40…+85
КТ829Г	n-p-n	8	12	45	-	5	60	>750	<2	0,2	<2	<1,5	>4	<120	-	150	-40…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ829:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IБ - постоянный ток базы.
• IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.