Транзисторы КТ837 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные

Рис.1 Внешний вид транзисторов КТ837

КТ837 транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях, стабилизаторах постоянного напряжения и другой радиоэлектронной аппаратуре общего применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Диапазон рабочих температур: от - 60 до + 100 °С.
Климатическое исполнение: «УХЛ3» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.

Основные области применения:

Выходные каскады усилителей низкой частоты
Транзисторы идеально подходят для усиления сигналов в звуковых системах, обеспечивая высокую мощность и качество звука.
Коммутационные схемы
Использование в переключающих устройствах позволяет эффективно управлять потоками энергии и сигналов.
Импульсные источники питания
Благодаря способности выдерживать высокие токи и напряжения, транзисторы активно применяются в конструкциях блоков питания.
Стабилизаторы напряжения
Возможность точного контроля над уровнем напряжения делает эти транзисторы незаменимыми в схемах стабилизации.
Зарядные устройства
Эффективное управление зарядом аккумуляторов достигается благодаря стабильности работы транзисторов.
Управление электродвигателями
Управление скоростью и направлением вращения двигателей становится возможным благодаря применению этих мощных транзисторов.

Рис.2 Установочные и габаритные размеры транзисторов КТ837.

Расшифровка маркировки транзистора:

КТ837В
● К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
● Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
● 8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
● 37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
● В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

Технические характеристики транзисторов КТ837:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	мА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
КТ837А	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	10…40	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Б	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	20…80	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837В	p-n-p	7,5	-	70	80	15	1 (30)	50…150	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Г	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	10…40	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Д	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	20…80	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Е	p-n-p	7,5	-	55	60	15	1 (30)	50…150	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Ж	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	10…40	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837И	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	20…80	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837К	p-n-p	7,5	-	40	45	15	1 (30)	50…150	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Л	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	10…40	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837М	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	20…80	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Н	p-n-p	7,5	-	70	80	5	1 (30)	50…150	<2,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837П	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	10…40	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Р	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	20…80	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837С	p-n-p	7,5	-	55	60	5	1 (30)	50…150	<0,9	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Т	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	10…40	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837У	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	20…80	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Ф	p-n-p	7,5	-	40	45	5	1 (30)	50…150	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100
КТ837Х	p-n-p	7,5	-	180	180	5	1 (30)	>15	<0,5	<0,15	<0,3	<10	>1	-	-	125	-60…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ837:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.