Электронные компоненты импортные - страница 12

LM2902N
Микросхема LM2902N представляет собой четыре операционных усилителя в одном корпусе с общим питанием.
Имеет прямой дифференциальный вход, внутричастотную компенсацию при единичном усилении и защиту от короткого замыкания.
Микросхемы используются в радиоаппаратуре и электронной технике и предназначены для создания радиоэлектронных устройств широкого класса.
Тип корпуса: DIP-14.
Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C.

LM339N
Микросхема LM339N представляет собой четыре независимых компаратора напряжения с низким уровнем тока смещения.
Совместимы сTTL, DTL, ECL, MOS and CMOS уровнями.
Микросхемы используются в радиоаппаратуре и электронной технике и предназначены для создания радиоэлектронных устройств широкого класса.
Тип корпуса: DIP-14.
Диапазон рабочих температур: от 0°C до +70°C.

IRF1405
IRF1405 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначен для компонентов устройств автоэлектроники, рулевое управление с электроусилителем (EPS), антиблокировочная система (ABS) и др.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 169 А.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

KBPC3510
Диодный мост KBPC3510 однофазный предназначен для работы в выпрямительных схемах, инверторах и преобразователях питания с максимально допустимым средним прямым током 35 А.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип моста и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: KBPC35.
Масса: не более 31,6 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF830
Транзистор IRF830 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 4,5 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,5 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SA1837
Транзисторы 2SA18373 кремниевые структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

W10M
Диодный мост W10M кремниевый однофазный.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах с максимально допустимым средним прямым током 1,5 А.
Тип корпуса:  литой пластиковый корпус WOM.
Масса: не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

SR160
Диоды SR160 кремниевые, выпрямительные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 1 А.
Выпускаются в пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода не более 0,34 г.
Тип корпуса: DO-41.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N3906
Транзисторы 2N3906 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

DB104
DB104 однофазный диодный мост на ток да 1 А.
Выпускаются в литых пластмассовых корпусах с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка и схема соединения злектродов с выводами приводятся на корпусе.
Монтажное положение: любое.
Масса: не более 1,0 г.
Тип корпуса: DB-1.

BTA208-600B
Тиристор  BTA208-600B полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления до 8 А.
Предназначен для применения в схемах преобразователей электрической энергии, импульсных модуляторов, бесконтактной регулирующей аппаратуры, избирательных и импульсных усилителей, инверторов и других устройств, выполняющих коммутационные функции.
Тип корпус: SOT-404.
Масса тиристора не более 1,4 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

2SC2625
Транзисторы 2SC2625 кремниевые структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Идеально подходит для использования в качестве драйвера устройства, такие как регуляторы переключения, ультразвуковые генераторы, высокочастотные инверторы, усилители мощности.
Тип корпуса: TO-247 (TO-3P).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

TDA7056A
Микросхема TDA7056A представляет собой усилитель низкой частоты мощностью до 3 Вт.
Микросхема обладает минимальным коэффициентом нелинейных искажений и уровнем собственных шумов.
Предназначена для применения в качестве усилителя мощности звуковой частоты в портативных устройствах аудиоаппаратуры.
Тип корпуса: SOT-110-1.
Диапазон рабочих температур: -55°C до +150°C.

IRFP460
Транзистор IRFP460 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 20,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,27 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IR2153D
Микросхема IR2153D представляет собой высоковольтный, высокоскоростной драйвер МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов с выходными каналами нижнего и верхнего уровней.
Это улучшенная версия драйвера IR2155 и IR2151, которая содержит драйвер высоковольтного полумоста с генератором аналогичным промышленному таймеру К1006ВИ1.
Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 600В.
Корпус типа: PDIP-8.
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C.

ATMEGA16-16PU
Микросхема ATMEGA16-16PU представляет собой 8-разрядный AVR-микроконтроллер с внутрисистемно программируемой флэш-памятью емкостью 16 кбайт.
Производительность до 16 млн. операций в секунду при тактовой частоте 16 МГц.
Напряжение питания: 4,5-5,5 В.
Максимальная тактовая частота: 16 МГц.
Корпус: PDIP-40.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +85 °C.

SF36
Диоды SF36 кремниевые, супербыстродействующие.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах с максимально допустимый средним прямым током 3,0 А.
Выпускаются в пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Монтажное положение: любое.
Масса диода не более 1,1 г.
Тип корпуса: DO-27.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SD882
Транзисторы 2SD882 кремниевые структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: SOT-32 (TO-126).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

1N4737A
Стабилитроны 1N4737A кремниевые, планарные, мощностью 1 Вт.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 7,5 В.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитронов не более 0,31 г.
Тип корпуса: DO-41.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

PC817B
Оптопара транзисторная PC817B состоящая из инфракрасного светодиода и кремниевого фототранзистора.
Предназначена для коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом в радиоэлектронной аппаратуре.
Тип корпуса: DIP-4.
Диапазон рабочих температур: от -30 до +100 °C.