Электронные компоненты импортные - страница 14

IRF740
Транзистор IRF740 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 400 В.
Максимальный ток стока: 10 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,55 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BTB12-600BW
Тиристор BTB12-600BW полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления до 12 А.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: TO-220AB.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

BT131-600
Тиристоры BT131-600 полупроводниковые, симметричные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов с возможностью сопрягаться с микроконтроллерами, логическими интегральными элементами и другими маломощными схемами.
Тип корпус: литой пластиковый корпус SOT54 (TO-92).
Масса тиристора не более 0,25 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

BT169D
Тиристор BT169D полупроводниковый, триодный.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип корпуса: ТО-92.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

BU807
Транзисторы BU807 кремниевые, эпитаксиально-планарные, составные, биполярные (транзисторы Дарлингтона) с ускоряющими диодами, структуры n-p-n.
Пpедназначены для pаботы в выходных каскадах гоpизонтальной pазвеpтки ЭЛТ, узлов и блоков аппаpатуpы шиpокого пpименения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BT137-600E
Тиристор BT137-600E полупроводниковый, симметричный (симистор).
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов.
Тип корпус: SOT-78 (TO-220AB).
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

BC557
Транзисторы BC557 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

1N4747А
Стабилитроны 1N4747А кремниевые, планарные, мощностью 1 Вт.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 20 В в диапазоне токов стабилизации 0,25...12,5 мА.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитронов не более 0,31 г.
Тип корпуса: DO-41.

BZX84C12
Стабилитроны BZX84C12 кремниевые, малой мощности.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 12 В.
Выпускаются в литых пластмассовых корпусах с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.
Повторяющийся пиковый прямой ток (IFRM): 250мА.
Повторяющийся пиковый рабочий ток (IZRM): 250мА.
Рассеиваемая мощность: 350 мВ.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

RS407
Диодный мост RS407 кремниевый однофазный.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах с максимально допустимым средним прямым током 4 А.
Тип корпуса: KBL.
Масса: не более 4,8 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

MJ11016
Транзисторы MJ11016 биполярные, кремниевые, составные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, переключающих устройствах, системах управления защиты и автоматики.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20.
Тип корпуса: ТО-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

MOC3041M
Оптопара симисторная MOC3041M состоящая из излучающих инфракрасных диодов (AlGaAs) оптически связанных с монолитным кремниевым детектором, выполняют функцию нулевого напряжения.
Оптопары предназначены для бесконтактного управления электрическими цепями, где требуется гальваническая развязка между узлами.
Тип корпуса: DIP-6.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +100 °C.

IRFBC30
Транзистор IRFBC30 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях.  
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
Максимальный ток стока: 3,6 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 2,2 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

TDA3510
Микросхемы TDA3510 представляют собой декодеры сигналов цветности по системе PAL.
Предназначена для формирования сигналов в телевизорах цветного изображения.
Тип корпуса: DIP-24.
Диапазон рабочих температур: 0°C до +70°C.
Отечественный аналог: К174ХА28.

IRL3705N
Транзистор IRL3705N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 89 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,01 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

1A7
Диоды 1A7 кремниевые, выпрямительные, общего назначения.
Предназначены для применения преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 1,0 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена полоска.
Корпус: R1.
Масса диода не более 0,19 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

1N4744A
Стабилитроны 1N4744A кремниевые, планарные, мощностью 1 Вт.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 15 В в диапазоне токов стабилизации 0,25...17 мА.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитронов не более 0,31 г.
Тип корпуса: DO-41.

UF4007
Диод UF4007 кремниевый, ультрабыстродействующий.
Предназначен для преобразования напряжения с максимально допустимым средним прямым током 1 А.
Тип корпуса:  литой пластиковый корпус DO-41.
Масса: не более 0,34 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

LM2904D
Микросхема LM2904D представляет собой два независимых операционных усилителя с высоким коэффициентом усиления.
Предназначены для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.
Тип корпуса: SO-8.
Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C.

BC847B
Транзисторы BC847B кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.