Электронные компоненты импортные - страница 3

1N5352B
Стабилитрон 1N5352B кремниевый, планарный, мощностью 5 Вт.
Предназначены для стабилизации постоянного напряжения источников питания и другой электронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитрона не более 1,0 г.
Тип корпуса: DO-201.
Диапазон рабочих температур: от -50 до +150 °C.

IRFP2907
Транзистор IRFP2907 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 75 В.
Максимальный ток стока: 209,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 4,5 mΩ.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

1N5408
Диод 1N5408 кремниевый, выпрямительный общего назначения.
Предназначен для преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 3 А.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Тип корпуса: DO-201AD.
Масса диода: не более 1,12 г.

MOC3021
Оптопара тиристорная MOC3021 состоящая из инфракрасного излучающего диода из арсенида-галлия (GaAs) и кремниевого двунаправленного переключателя, который работает как симистор.
Оптотиристор предназначен для взаимодействия между компонентами электронного управления и силовыми симисторами, для управления резистивными и индуктивными нагрузками до 115В переменного тока.
Тип корпуса: DIP-6.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +100 °C.

BC639
Транзисторы BC639 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N2222A
Транзисторы 2N2222A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы рассчитаны на высокую скорость переключения при токе коллектора до 500 мА.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

P6KE18CA
Защитный двунаправленный диод P6KE18CA обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Номинальное напряжение пробоя диода: 18 В.
Тип корпуса: DO-15.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

IRFD120
Транзистор IRFD120 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 1,3 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,27 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: HD-1 (DIP-4).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

LL4148
Диоды LL4148 кремниевые, высокочастотные переключающие диоды для поверхностного монтажа.
Для обозначения полярности диодов используются условная маркировка кольцевыми полосами на корпусе со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,12 г.
Тип корпуса:  MiniMELF.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

1N4148
Диоды 1N4148 кремниевые, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности диодов используются условная маркировка кольцевыми полосами на корпусе со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: SOD27 (DO-35).

2SD2499
Транзисторы 2SD2499 кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в строчной развертке цветных телевизоров.
Тип транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-3PML.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

MJE13005
Транзисторы MJE13005 биполярные, кремниевые, структуры n-p-n, переключательные.
Транзисторы предназначены для использования в качестве ключевых элементов в состав электронных пускорегулирующих аппаратов и сетевых источников вторичного электропитания.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BUZ90
BUZ90 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом.
Предназначен для работы в телевизионной технике, импульсных блоках питания, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
Максимальный ток стока: 4,0 А.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

W04M
Диодный мост W04M кремниевый однофазный.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах с максимально допустимым средним прямым током 1,5 А.
Тип корпуса:  литой пластиковый корпус WOM.
Масса: не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TL084CN
Микросхемы TL084CN представляют собой четырехканальныe малошумящие быстродействующие операционные усилители общего назначения с полевыми транзисторами на входе (J-FET).
Предназначены для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.  
Тип корпуса: DIP-14.
Диапазон рабочих температур: 0°C до +70°C.

BTA140-800
Тиристор BTA140-800 полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления до 25 А.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: TO-220AB.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

FR202
Диод FR202 кремниевый быстровосстанавливающийся.
Предназначен для преобразования напряжения с максимально допустимым средним прямым током 2 А.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Корпус: литой пластиковый корпус DO-15.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

BT137-800
Тиристор BT137-800 полупроводниковый, симметричный (симистор).
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов.
Тип корпус: SOT-78 (TO-220AB).
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

78L05
Микросхема 78L05 представляет собой последовательный компенсационный стабилизатор напряжения с фиксируемым выходным напряжением 5 В и выходными токами 0,1 А.
Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от короткого замыкания.
Корпус: TO-92.
Масса: не более 0,3 г.
Диапазон рабочих температур: от 0 до +125 °C.

2SA733
Транзисторы 2SA733 кремниевые структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.