Электронные компоненты импортные

BT151-500R
Тиристор BT151-500R полупроводниковый, триодный.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами.
Тип корпус: SOT-78 (TO-220AB).
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

IRFZ44N
Транзистор IRFZ44N N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 49 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 17,5 mΩ.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

1N4007
Диод 1N4007 кремниевый выпрямительный общего назначения.
Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц.
Цветной полосой обозначен вывод катода.
Тип корпуса: DO-41 (DO-204AL).
Масса диода: не более 0,5 г.

Основные технические характеристики диода 1N4007:
• Максимальное постоянное обратное напряжение ...... 1000 В;
• Максимальное импульсное обратное напряжение ...... 1200 В;
• Максимальный прямой ток ...... 1 А;
• Максимально допустимый прямой импульсный ток ...... 5 А;
• Постоянное прямое напряжение, не более ...... 1,1 В;
• Постоянный обратный ток, не более ...... 5 мкА;
• Рабочая температура ...... -60 ...+175°С.

L7812CV
Микросхема L7812CV представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением 12,0 В положительной полярности.
Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от перегрева и встроенную односкатную защиту от перегрузок.
Корпус: TO-220.
Масса: не более 2,5 г.
Диапазон рабочих температур: от 0 до +150 °C.

IRF540N
Транзистор IRF540N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 33 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 44 mΩ.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BTA16-600B
Тиристор BTA16-600B полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления до 16 А.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: TO-220AB.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

MJE13009
Транзисторы MJE13009 биполярные, кремниевые, планарные, структуры n-p-n, переключательные.
Предназначены для для использования в переключательных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

1N5822
Диоды 1N5822 кремниевые, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 3 А.
Выпускаются в  литом пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода не более 1,1 г.
Тип корпуса: DO-201AD.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +125 °C.

2N5551
Транзисторы 2N5551 кремниевые биполярные структуры n-p-n.
Транзисторы предназначен для работы в НЧ-устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BU406
Транзисторы BU406 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: TO–220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N3904
Транзисторы 2N3904 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF840
Транзистор IRF840 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 8,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,85 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF3205
IRF3205 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 110 А.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

TIP122
Транзисторы TIP122 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SC945
Транзисторы 2SC945 кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты.
Тип транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SC1815
Транзисторы 2SC1815 кремниевые, структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса: не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

BTA12-600B
Тиристор BTA12-600B полупроводниковый, симметричный (симистор).
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: TO-220AB.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

FR207
Диод FR207 кремниевый быстровосстанавливающийся.
Предназначен для преобразования напряжения с максимально допустимым средним прямым током 2 А.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Корпус: литой пластиковый корпус DO-15.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

TDA2822M
Микросхема TDA2822M представляет собой усилитель мощности низкой частоты.
Микросхема обладает минимальным коэффициентом нелинейных искажений и уровнем собственных шумов.
Предназначена для применения в качестве усилителя мощности звуковой частоты в переносных устройствах, и в качестве усилителя стереонаушников.
Тип корпуса: DIP-8.
Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C.

1N5817
Диоды 1N5817 кремниевые, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 1 А.
Выпускаются в  литом пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода не более 0,33 г.
Тип корпуса: DO-41.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.