Транзисторы - страница 3

ST13007D
Транзисторы ST13007D биполярные, кремниевые, структуры n-p-n, переключательные.
Транзисторы предназначены для использования в качестве ключевых элементов в состав электронных пускорегулирующих аппаратов и сетевых источников вторичного электропитания.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC807-40
Транзисторы BC807-40 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SC4706
Транзисторы 2SC4706 кремниевые, планарные, структуры n-p-n.
Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Маркирова прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора: не более 6,0 г.
Тип корпуса: TO-3P (MT-100).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFZ34
Транзистор IRFZ34 N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 60 В.
Максимальный ток стока: 30 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,050 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF9540N
Транзистор IRF9540N мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: -100 В.
Максимальный ток стока: -23,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,117 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BC546B
Транзисторы BC546B кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFZ48
Транзистор IRFZ48 N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 60 В.
Максимальный ток стока: 50 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,018 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF530
Транзистор IRF530 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 14 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,16 Ом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

MPSA42
Транзисторы MPSA42 биполярные, кремниевые, структуры n-p-n, высоковольтные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.  
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

SS8050
Транзистор SS8050 кремниевый, биполярный, структуры n-p-n для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP240
Транзистор IRFP240 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 20,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,18 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

MJE13002
Транзисторы MJE13002 биполярные, кремниевые, структуры n-p-n, высоковольтный.
Транзисторы предназначены для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах.  
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC548B
Транзисторы BC548B кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF840A
Транзистор  IRF840A мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 8,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,85 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF540
Транзистор IRF540 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 28 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,077 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRFD110
Транзистор IRFD110 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 1,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,54 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: HD-1 (DIP-4).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

MJE13001
Транзисторы MJE13001 биполярные, кремниевые, структуры n-p-n.
Транзисторы предназначены для использования в преобразователях напряжения и другой радиоэлектронной аппаратуре.  
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SD880
Транзисторы 2SD880 кремниевые структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF640N
Транзистор IRF640N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.
  
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 18,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,15 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF710
Транзистор IRF710 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 400 В.
Максимальный ток стока: 2,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 3,6 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.