+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы биполярные

Цены приведены с учетом НДС

2Т9145Б91
Транзисторы 2Т9145Б91 кремниевые эпитаксиально-планарные в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Область применения: ключевые схемы, импульсные модуляторы, преобразователи, линейные стабилизаторы напряжения, узлы и блоки аппаратуры специального назначения.
Тип корпуса: 4601.3-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.598ТУ.
1 584.00 руб
2Т9145А91
Транзисторы 2Т9145А91 кремниевые эпитаксиально-планарные в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Область применения: ключевые схемы, импульсные модуляторы, преобразователи, линейные стабилизаторы напряжения, узлы и блоки аппаратуры специального назначения.
Тип корпуса: 4601.3-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.598ТУ.
1 584.00 руб
2Т888В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напряжения вторичных источников электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.782ТУ.
630.00 руб
2Т841В9
Транзисторы 2Т841В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-94-3.
Технические условия: АЕЯР.432140.516 ТУ.
2 892.00 руб
2Т841Б9
Транзисторы 2Т841Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-94-3.
Технические условия: АЕЯР.432140.516 ТУ.
2 136.00 руб
2Т841Б1
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы 2Т841А1, 2Т841Б1 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.339.625 ТУ.
2Т841А9
Транзисторы 2Т841А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-94-3.
Технические условия: АЕЯР.432140.516 ТУ.
2 508.00 руб
2Т836Г
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.
Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Транзистор 2Т836А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,0058 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.164 ТУ.
510.00 руб
2Т836В
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.
Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Транзистор 2Т836А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,0058 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.164 ТУ.
354.00 руб
2Т830Д
Транзисторы 2Т830Д кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Корпус транзистора металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.139 ТУ.
372.00 руб
2Т665Б91
Транзисторы 2Т665Б91 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n низкочастотные средней мощности.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса:  4601.3-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.561ТУ.
1 626.00 руб
2Т665А91
Транзисторы 2Т665А91 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n низкочастотные средней мощности.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса:  4601.3-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.561ТУ.
1 626.00 руб
2Т664Б91
Транзисторы 2Т664Б91 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса:  4601.3-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.561 ТУ.
1 626.00 руб
2Т664А91
Транзисторы 2Т664А91 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса:  4601.3-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.561 ТУ.
1 632.00 руб
2Т630Б9
Транзисторы 2Т630Б9 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса:  4601.3-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.546ТУ.
2Т630А9
Транзисторы 2Т630А9 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса:  4601.3-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.546ТУ.
2Т506Б1
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы 2Т506Б1 выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.318ТУ.
2Т505В
Транзисторы 2Т505В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах.
Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, 2Т505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т505А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,003 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.174 ТУ.
462.00 руб
2Т504Г
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы 2Т504Г предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в корпусе не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.110 ТУ.
606.00 руб
2Т312Д
Транзисторы 2Т312Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Технические условия: ЖК3.365.143ТУ/Д2.
198.00 руб
Товары 1 - 20 из 1380
Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец
Выводить по: 20

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.