Транзисторы биполярные - страница 71

2Т8144Б
Транзисторы 2Т8144Б кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях частоты системы энергоснабжения самолетов, для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, во вторичных источниках питания.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.261ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т8144Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
144 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т630Б19
Транзисторы 2Т630Б19 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для работы в ключевых, линейных и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускается в прямоугольном металлокерамическом корпусе с планарным расположением выводов для поверхностного монтажа (SMD) на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: 4601.3-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.546ТУ.
Срок сохраняемости - не менее 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т630Б19
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2Т8144Б1
Транзисторы 2Т8144Б1 кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях частоты системы энергоснабжения самолетов, для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, во вторичных источниках питания.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9М.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.261ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т8144Б1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
144 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т504А1
Транзисторы 2Т504А1 кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.110ТУ;
  - приёмка «7»-  аА0.339.110ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N5092, 40321S, 40321L.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 15 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т504А1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
5 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т665А19
Транзисторы 2Т665А19 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n низкочастотные средней мощности.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с планарным расположением выводов для поверхностного монтажа (SMD) на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-47 (SOT-89).
Масса транзистора не более 0,07 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.559ТУ.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора:
2Т665А19
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока
или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
65 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2Т506А1
Транзисторы 2Т506А1 кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.318ТУ/Д2;
  - приёмка «7» - аА0.339.318ТУ/Д2, П0.070.052.
Зарубежный аналог: STIP805, STIP705, MSP65A, MSP75A.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т506А1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
5 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
06 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т630А1
Транзисторы 2Т630А1 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для работы в ключевых и линейных схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» ЮФ3.365.043ТУ;
  - приёмка «ОС» ЮФ3.365.043ТУ, аА0.339.190ТУ.
Срок сохраняемости - не менее 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: BCW50.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 15000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 30000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т630А1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т624А-2
Транзисторы 2Т624А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах в герметизированной аппаратуре, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Бескорпусные с защитным покрытием на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечения из неё транзисторов проводить измерения их электрических параметров.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,015 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - Я53.365.022ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC731, BSX12, 2SC1169, 2SC1965.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т624А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 450 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (30В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...180;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 9 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 18 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора:
2Т624А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей  
частотой более 300 МГц;
24 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2Т3160А-2
Транзисторы 2Т3160А-2 кремниевые биполярные эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, импульсные.
Предназначены для использования в аппаратуре специального назначения в составе гибридных интегральных микросхем, блоков аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана,  плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Бескорпусные с защитным покрытием на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечения из неё транзисторов проводить измерения их электрических параметров.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,015 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аАО.339.591ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т3160А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2Т664А19
Транзисторы 2Т664А19 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в ключевых схемах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в составе герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с планарным расположением выводов для поверхностного монтажа (SMD) на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-47 (SOT-89).
Масса транзистора не более 0,07 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.559ТУ.
Зарубежный аналог: ZTX553M1.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора:
2Т664А19
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
64 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2Т652А-2
Транзисторы 2Т652А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для использования в аппаратуре специального назначения в составе гибридных интегральных микросхем, блоков аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Бескорпусные с защитным покрытием на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечения из неё транзисторов проводить измерения их электрических параметров.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,015 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.285ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора:
2Т652А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
52 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ805ИМ
Транзисторы КТ805ИМ кремниевые эпитаксиально-мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.341ТУ/03.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ805ИМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
05 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.