Транзисторные сборки

2ТС622А
Транзисторные матрицы 2ТС622А, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» И93.456.001ТУ;
  - приемка «ОС» И93.456.001ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: 2N3905.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС622А:
• Структура транзисторной сборки: p-n-p;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,25 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 120 нс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ТС622А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
22 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

К1НТ661А
Транзисторная сборка К1НТ661А, состоящая из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначена для применения в переключательных схемах.
Выпускается в прямоугольном металлостеклянном корпусе для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г.
Тип корпуса: 401.14-3.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».

Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы:
К1НТ661А
К - буква, указывает на микросхему категории качества «ОТК», где К - для использования в аппаратуре производственно-технического назначения и народного потребления;
1 - цифра, указывает группу по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица);
НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов;
66 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности второй и четвертый элементы обозначают номер серии;
1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку.

ГТС609Б
Транзисторные сборки ГТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионно-сплавных p-n-p переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах в составе электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 4,0 г.
Категория качества: «ОТК».

Основные технические характеристики транзистора ГТС609Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 60 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 700 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 40 мкА;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...160
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,2 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
ГТС609А
Г - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где Г - германиевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2ТС3103А
Транзисторные сборки 2ТС3103А, состоящие каждая из двух кремниевых планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов с раздельными выводами.
Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 1,5 г.
Тип корпуса: 3101.8-1 (ТО-99).
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» аА0.339.031ТУ;
  - приёмка «ОСМ» аА0.339.031ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ТС3103А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П7247АР9
Транзисторная сборка 2П7247АР9 состоящая из комплементарной пары переключательных полевых транзисторов с n- и p-каналами.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П7247АР9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
247 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
Р - буква обозначает, что транзисторы по электрическим параметрам подобраны в пары.
9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

125НТ1
Транзисторные матрицы 125НТ1, состоящие из кремниевых n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 401.14-3, масса не более 0,4 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Импортный аналог: 2N4725 фирмы ETC.

Гарантийные обязательства:
Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторных матриц 125НТ1 требованиям технических условий при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации установленных ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет.
Минимальный срок хранения исчисляется с даты изготовления, а для микросхем подвергавшихся перепроверки - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка микросхем:
- 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 120000 часов в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения:
125НТ1
●  отсутствие буквы обозначает категорию качества «ВП», наличие букв «ОСД», «ОСМ», «ОС» указывает на соответствующую категорию качества микросхемы;
1 - цифра, указывает группу микросхемы по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица);
25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности второй и третий элементы обозначают номер серии;
НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов;
1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку.

2П7240БС9
Транзисторная сборка 2П7240БС9 состоящая из пары n-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П7240БС9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
240 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2ПС104А
Транзисторная сборка 2ПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.033ТУ.
Зарубежный аналог: UPA70A, UPA71A.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 80000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики 2ПС104А:
• Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,2... 1 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,8 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 0,35 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ПС104А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КПС104В
Транзисторная сборка КПС104В состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.038ТУ.
Зарубежный аналог: UC2147, BFS21.

Основные технические характеристики транзистора КПС104В:
• Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,4... 2 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 1,5 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 0,65 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КПС104В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

1НТ251
Транзисторные матрицы 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в прямоугольном металлостеклянном корпусе для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г.
Тип корпуса: 401.14-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» И93.456.000ТУ;
  - приемка «ОС» И93.456.000ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзисторной сборки 1НТ251:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мкА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом.

Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения:
1НТ251
1 - цифра, указывает группу по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица);
НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов;
25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности первый и третий элементы обозначают номер серии;
1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку.

КТ9151А
Сборка КТ9151А состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 48...230 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-82.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432153.009ТУ.
Импортный аналог: 2SC3812, TPV376, TP383, TP9386.

Основные технические характеристики транзистора КТ9151А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 280 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 230 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 33 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 150 мА (55В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 350 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 200 Вт на частоте 230 МГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9151А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
151 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

1ТС609А
Транзисторные сборки 1ТС609А, состоящие из четырех германиевых диффузионно-сплавных p-n-p переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 4,0 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Основные технические характеристики 1ТС609А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 60 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 700 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 40 мкА;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...200
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,2 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
1ТС609А
1 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 1 - германиевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КПС104А
Транзисторная сборка КПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.038ТУ.
Зарубежный аналог: 2N5452, UPA70A, UPA71A.

Основные технические характеристики транзистора КПС104А:
• Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,2... 1 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,8 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 0,35 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КПС104А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

1НТ251А
Транзисторные матрицы 1НТ251А, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в прямоугольном металлостеклянном корпусе для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г.
Тип корпуса: 401.14-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» И93.456.000ТУ;
  - приемка «ОС» И93.456.000ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзисторной сборки 1НТ251А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мкА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом.

Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения:
1НТ251А
1 - цифра, указывает группу по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица);
НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов;
25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности первый и третий элементы обозначают номер серии;
1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку;
А - буква указывает на различие микросхем одного типа по электрическим параметрам, исполнению или по температурному диапазону.

2П7240ВС9
Транзисторная сборка 2П7240ВС9 состоящая из пары n-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П7240ВС9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
240 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

125НТ1А
Транзисторные матрицы 125НТ1А, состоящие из кремниевых n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 401.14-3, масса не более 0,4 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Импортный аналог: 2N4725 фирмы ETC.

Гарантийные обязательства:
Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторных матриц 125НТ1А требованиям технических условий при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации установленных ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет.
Минимальный срок хранения исчисляется с даты изготовления, а для микросхем подвергавшихся перепроверки - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка микросхем:
- 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 120000 часов в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения:
125НТ1А
●  отсутствие буквы обозначает категорию качества «ВП», наличие букв «ОСД», «ОСМ», «ОС» указывает на соответствующую категорию качества микросхемы;
1 - цифра, указывает группу микросхемы по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица);
25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности второй и третий элементы обозначают номер серии;
НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов;
1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку;
А - буква указывает на различие микросхем одного типа по электрическим параметрам, исполнению или по температурному диапазону.

1НТ251А2
Транзисторные матрицы 1НТ251А2, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в прямоугольном металлостеклянном корпусе для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г.
Тип корпуса: 401.14-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» И93.456.000ТУ/Д1;
  - приемка «ОС» И93.456.000ТУ/Д1, аА0.339.190ТУ.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения:
1НТ251А2
1 - цифра, указывает группу по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица);
НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов;
25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности первый и третий элементы обозначают номер серии;
1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку;
А - буква указывает на различие микросхем одного типа по электрическим параметрам, исполнению или по температурному диапазону;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ9150А
Транзисторная сборка КТ9150А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности в режиме класса А в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 25 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки.
Тип корпуса: КТ-81.
Масса сборки не более 7,0 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - АДБК.432153.008ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ9150А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 42 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 8,5 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 8 Вт на частоте 860 МГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9150А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
150 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

1ТС609Б
Транзисторные сборки 1ТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионно-сплавных p-n-p переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 4,0 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Основные технические характеристики транзистора 1ТС609Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 60 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 700 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 40 мкА;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...160
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,2 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
1ТС609Б
1 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 1 - германиевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П7247БР9
Транзисторная сборка 2П7247БР9 состоящая из комплементарной пары переключательных полевых транзисторов с n- и p-каналами.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П7247БР9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
247 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
Р - буква обозначает, что транзисторы по электрическим параметрам подобраны в пары.
9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.