+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторные сборки

Цены приведены с учетом НДС

2ПЕ103АС9
Транзисторная сборка 2ПЕ103АС9 состоящая из комплементарной пары полевых транзисторов  с n- и p-каналами.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: МК 5205.8-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.686ТУ.
2ПЕ102АС9
Транзисторная сборка 2ПЕ102АС9 состоящая из пары полевых транзисторов с p- каналами..
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: МК 5205.8-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.686ТУ.
2ПЕ101АС9
Транзисторная сборка 2ПЕ101АС9 состоящая из пары полевых транзисторов с n- каналами.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: МК 5205.8-1.
Технические условия: АЕЯР.432140.686ТУ.
2П7247ГР9
Транзисторная сборка 2П7247ГР9 состоящая из комплементарной пары переключательных полевых транзисторов с n- и p-каналами.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Технические условия: АЕЯР.432140.605ТУ.
2П7247БР9
Транзисторная сборка 2П7247БР9 состоящая из комплементарной пары переключательных полевых транзисторов с n- и p-каналами.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Технические условия: АЕЯР.432140.605ТУ.
2П7241ГС9
Транзисторная сборка 2П7241ГС9 состоящая из пары p-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Технические условия: АЕЯР.432140.605ТУ.
2П7240ГС9
Транзисторная сборка 2П7240ГС9 состоящая из пары n-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Технические условия: АЕЯР.432140.605ТУ.
2П7247ВР9
Транзисторная сборка 2П7247ВР9 состоящая из комплементарной пары переключательных полевых транзисторов с n- и p-каналами.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Технические условия: АЕЯР.432140.605ТУ.
2П7247АР9
Транзисторная сборка 2П7247АР9 состоящая из комплементарной пары переключательных полевых транзисторов с n- и p-каналами.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Технические условия: АЕЯР.432140.605ТУ.
2П7241БС9
Транзисторная сборка 2П7241БС9 состоящая из пары p-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Технические условия: АЕЯР.432140.605ТУ.
2П7241АС9
Транзисторная сборка 2П7241АС9 состоящая из пары p-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Технические условия: АЕЯР.432140.605ТУ.
2П7240АС9
Транзисторная сборка 2П7240АС9 состоящая из пары n-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Технические условия: АЕЯР.432140.605ТУ.
2П7241ВС9
Транзисторная сборка 2П7241ВС9 состоящая из пары p-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 4320.8-А.
Технические условия: АЕЯР.432140.605ТУ.
2П9103ДС
Транзисторная сборка 2П9103ДС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен  для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
Имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD) и низкий уровень интермодуляционных искажений.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-103А-2.
Технические условия: АДКБ.432150.522 ТУ.

Основные RF характеристики:
(режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 32 В, PВХ ≤ 7,5 Вт, tk ≤ 40 °С , класс AB)
Выходная мощность в пике огибающей РВЫХ ПО  – 300 Вт;
Коэффициент усиления по мощности КУР – 16 дБ (мин);
КПД стока ηС  – 40 % (мин);
Коэффициент интермодуляционных искажений 3-го порядка М3 – минус 25 дБ (макс)
10 340.40 руб
КТ9195БС
Транзисторная сборка КТ9195БС из двух кремниевых  n-p-n мощных импульсных СВЧ транзисторов с внутренними согласующимися цепями по входу.
Предназначена для работы для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-44.
Функциональный аналог: SD1542 (STM), DME500 (Microsemi), MRF10502 (M/A Com).

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ, И = 500 Вт;
- Напряжение питания UП = 50 В;
- Рабочая частота f = 1090 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥5;
- КПД коллектора ηК≥30%;
- Скважность импульса Q = 100;
- Длительность импульса τИ = 10 мкс.
КТ9164АС
Транзисторная сборка КТ9164АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n мощных СВЧ импульсных генераторных транзисторов с общей базой.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 1030-1090 МГц аппаратуры специального назначения.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-44.
Функциональный аналог: SD1552 (STM), PH1090-350L (M/A Com), MSC1350M (Microsemi).

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ, И = 300 Вт;
- Напряжение питания UП = 50 В;
- Рабочая частота f = 1030, 1090 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
- КПД коллектора ηК≥35%;
- Скважность импульса Q = 10;
- Длительность импульса τИ = 32 мкс.
КТ9156АС
Транзисторная сборка КТ9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-44.
Технические условия: АЕЯР.432150.052 ТУ.
Функциональный аналог: MRA0510-14 (Motorola), BLV98 (PHILIPS), MS1451 (APT).
КП998БС
Транзисторная сборка КП998БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Технические условия: АДКБ.432150.486ТУ, КФДЛ.432149.085ТУ ГК.
Функциональный аналог: lb401 (Polyfet); lr401 (Polyfet).

Основные RF характеристики:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 4,7 Вт, tk ≤ 40 °С)
- Выходная мощность РВЫХ  -150 Вт;
- Коэффициент усиления по мощности КУР – 15 дБ (мин);
- КПД стока ηС –  60 % (мин).
6 930.00 руб
КП986ЕС
Транзисторная сборка КП986ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Технические условия: АДКБ.432150.487ТУ.
Функциональный аналог: MRF1570NT1 (Freescale).

Основные RF характеристики:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 16 Вт, tk ≤40 °С )
- Выходная мощность РВЫХ – 80 Вт (CW);
- Коэффициент усиления по мощности КУР  – 7 дБ;
- КПД стока ηС≥50 % (мин)
5 751.60 руб
КП981ВС
Транзисторная сборка КП981ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по DMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-81.
Технические условия: АДКБ.432140.370 ТУ.
Функциональный аналог: D1207UK, D1202UK (Semelab), LQ821, F1222, F1207 (Polyfet).

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ = 20 Вт;
- Напряжение питания UСИ = 12,5 В;
- Рабочая частота f = 500 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥10;
- КПД стока ηС≥50%.
5 223.60 руб
Товары 1 - 20 из 114
Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец
Выводить по: 20

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.