Транзисторы - страница 12

КТ610Б
Транзисторы КТ610Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях напряжения и мощности в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
На крышке корпуса наносится условная маркировка цветными точками:
  - КТ610А - чёрная точка на коричневой поверхности;
  - КТ610Б - красная точка на коричневой поверхности.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - Я53.365.005ТУ.
Импортный аналог:  2SC3596C.

Основные технические характеристики транзистора КТ610Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 700 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 26 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (26В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20...300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,1 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 200 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 55 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ610Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
10 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т657А-2
Транзисторы 2Т657А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот до 2 ГГц в схеме с общим эмиттером в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Транзисторы бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются условным цветным кодом:
   - 2Т657А-2 - красный знак,
   - 2Т657Б-2 - красный знак и точка красного цвета,
   - 2Т657В-2 - красный знак и точка желтого цвета.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.405ТУ.
Зарубежный аналог: AT00510, AT00535, AT00570, AT60535.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т657А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 375 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 ГГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 12 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (12В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не нормируется;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,05 Вт на частоте 2 ГГц.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т657А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
57 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2П103Д
Транзисторы 2П103Д кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ТФ3.365.000 ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П103Д
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т841А
Транзисторы 2Т841А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.267ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.267ТУ, П0.070.052.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: 2S2122.

Основные технические характеристики транзистора 2Т841А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 600 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (600В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 1000 нс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т841А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
41 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П922А
Транзисторы 2П922А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и вертикальным индуцированным каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичных электропитания, быстродействующих переключающих и импульсных устройствах, а также стабилизаторах и преобразователях напряжения.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.537ТУ.
Зарубежный аналог: IRF132, VN1000D, VN1001A.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П922А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 75 Вт;
• Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2... 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 100 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 10 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: 2 мА;
• S - Крутизна характеристики: 1000... 2100 мА/В (1а);
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 0,2 Ом;
• tвкл - Время включения транзистора: не более 100 нс;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 100 нс.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П922А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
22 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП312Б
Транзисторы КП312Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.
Транзисторы КП312А, КП312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Маркируются цветными точками:
   - КП312А - двумя желтыми,
   - КП312Б - двумя синими.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-23.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - аА0.336.167ТУ.
Импортный аналог: 2SK92, BF410A, KK3823, 2SK12P, 2SK15, 2N4302, 2SK49, 2SK11.

Основные технические характеристики транзистора КП312Б:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 100 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,8... 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 25 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: 1,5...7 мА;
• S - Крутизна характеристики: 2... 5 мА/В (15В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 2 дБ на частоте 400 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП312Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
12 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т937А-2
Транзисторы 2Т937А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 0,9...5 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным или цветовым кодом на корпусе транзистора.
На транзисторы наносится условная маркировка:
   - 2Т937А-2 - зеленая точка и буква «А»,
   - 2Т937Б-2 - белая точка и буква «Б»,
   - КТ937А-2 - две зеленые точки и буква «А»,
   - КТ937Б-2 - две белые точки и буква «Б».
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.079ТУ.
Зарубежный аналог: 2L08, MA42181-510, LUE20095, LEE1010T.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т937А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3,6 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 6500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,25 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (25В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1,6 Вт на частоте 5 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,78 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т937А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ8164А
Транзисторы КТ8164А мощные высоковольтные биполярные n-p-n типа.
Предназначены для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» АДБК.432150.565ТУ.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: MJE13004.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8164А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
164 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ805БМ
Транзисторы КТ805БМ кремниевые эпитаксиально-мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.341ТУ/03.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BD719, CX702A.

Основные технические характеристики транзистора КТ805БМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ805БМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
05 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т826А
Транзисторы 2Т826А кремниевые меза-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Транзистор 2Т826А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20,0 г, кристалла не более 0,01 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.058ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC1101.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т826А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т826А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
26 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т382А
Транзисторы 2Т382А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
На крышке корпуса наносится условная маркировка цветным кодом:
   - 2Т382А - одна черная точка;
   - 2Т382Б - одна красная точка;
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-14.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» СБ3.365.123ТУ;
  - приемка «ОСМ» СБ3.365.123ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N5032.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т382А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 330;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т382А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
82 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

1Т403Г
Транзисторы 1Т403Г германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «5» СИ3.365.023ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.023ТУ/Д6.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.

Основные технические характеристики транзистора 1Т403Г:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...150 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
1Т403Г
1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
4 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 4 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП921А
Транзистор КП921А кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором и вертикальным индуцированным каналом n-типа.
Предназначен для применения в быстродействующих переключающих устройствах.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - аА0.336.728ТУ.
Импортный аналог: VN0401D, VN1204N5.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП921А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
21 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т916А
Транзисторы 2Т916А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты, автогенераторах на частотах 0,2...1 ГГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.136ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.136ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: MRF1015MA, MRF1015MB.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т916А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1100 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (55В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 35;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2,25 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 1 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т916А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П312А
Транзисторы 2П312А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы 2П312А, 2П312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Маркируются цветными точками:
   - 2П312А - одной желтой,
   - 2П312Б - одной синей.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-23.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ЖК3.365.262ТУ.
Зарубежный аналог: SFE264, BF410B, BF410C, BF511, 2SK242, 2SK521.

Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П312А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 100 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2... 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 25 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 25 мА;
• S - Крутизна характеристики: 4... 5,8 мА/В (15В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 2 дБ на частоте 400 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 400 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П312А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
12 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ361Б
Транзисторы КТ361Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-13.
Климатическое исполнение: УХЛ.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» ФЫ0.336.201ТУ.
Импортный аналог: 2N4125, BC250B.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ361Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
61 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ846Б
Транзисторы КТ846Б кремниевые меза-планарные структуры n-p-n импульсные, переключательные.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.534ТУ.
Импортный аналог: ST1804, ST1802.

Основные технические характеристики транзистора КТ846Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1200 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (1200В);
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,1 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 12000 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ846Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
46 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т966А
Транзисторы 2Т966А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Тип корпуса: КТ-30.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.218ТУ.
Зарубежный аналог: SD1275-1.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т966А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 64 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 100 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 23 мА (36В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 70;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 250 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 16 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 30 МГц.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т966А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
66 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ837У
Транзисторы КТ837У кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ3» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.403ТУ/03.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SB435, 2N6132.

Основные технические характеристики транзистора КТ837У:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ837У
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
У - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т3130А9
Транзисторы 2Т3130А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.569ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC2462, MMBC1623L4.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3130А9:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 100... 250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т3130А9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
130 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.