Транзисторы - страница 58

КТ8131А
Транзисторы КТ8131А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и ключевых схемах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Импортный аналог: 2N6037.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8131А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
131 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ660А
Транзисторы КТ660А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических колебаний.
Корпус пластмассовой с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
На транзистор наносится условная цветная маркировка:
   - КТ660А - одна синяя полоса,
   - КТ660Б - две синие полосы.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.669ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: GES2219, BC337P, BC337-10.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ660А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
60 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ363АМ
Транзисторы КТ363АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высокочастотные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе наносится условная маркировка - две цветные точки:
   - КТ363АМ - две розовые;
   - КТ363БМ - розовая и желтая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» ЩТ0.336.014ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N5771, 2N5771, 2N4258A, 2N4260, 2SA800.

Основные технические характеристики транзистора КТ363АМ:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 1200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...70;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 35 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 50 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ363АМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
63 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ325АМ
Транзисторы КТ325АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры широкого назначения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом, на приборах маркировка указывается в сокращенном виде: 325А, 325Б, 325В.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» СБ0.336.047ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC1215, 2SC1188, 2SC2347, MPS3563, STH17.

Основные технические характеристики транзистора КТ325АМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30... 90;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ325АМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП959Б
Транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ).
Транзисторы КП959Б кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - АДБК.432150.377ТУ.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП959Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
59 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т9103А-2
Транзисторы 2Т9103А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях, генераторах и умножителях в диапазоне частот 0,9...5 ГГц.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Бескорпусной с полосковыми выводами на керамическом негерметизированном кристаллодержателе.
Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя.
Масса транзистора не более 3,0 г.
Тип корпуса: КТ-54.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.527ТУ.
Зарубежный аналог:  PTB32005X, PV3742B4X, NE4203, NE420353, NEM4205.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т9103А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ9152А
Транзисторная сборка КТ9152А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-82.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432153.007ТУ.
Импортный аналог: 2SC3660, MRF1090MB, MRF1090MA, SD1560.

Основные технические характеристики транзистора КТ9152А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 246 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 24 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мА (55В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ на частоте 860 МГц;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 860 МГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9152А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
152 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ912Б
Транзисторы КТ912Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при напряжении питания 27 В.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 45,0 г.
Тип корпуса: КТ-5 (TO-63).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.016ТУ.
Импортный аналог: 2N6093.

Основные технические характеристики транзистора КТ912Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (70В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 70 Вт на частоте 30 МГц.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ912Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
12 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ812В
Транзисторы КТ812В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.052ТУ.
Импортный аналог:  BDY25, KU605, KU607, KUY12, BUX18.

Основные технические характеристики транзистора КТ812В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ812В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
12 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

3П608А-5
Транзисторы 3П608А-5  полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шоттки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 45,5 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П608А-2, 3П608Б-2, 3П608Г-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзисторы 3П608А-5, 3П608Д-5, 3П608Е-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.784ТУ/Д1.
Зарубежный аналог: JS8864AS.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П608А-5
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
5 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 5 - бескорпусной транзистор с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов (кристалл).

2Т378А1-2
Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - ХА3.365.012ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т378А1-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
78 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
2 - цифра, написанная дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ9133А
Транзистор КТ9133А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный.
Предназначен для применения в линейных усилителях мощности в схеме ОЭ в диапазоне частот 170...230 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 9,0 г.
Тип корпуса: КТ-56.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Импортный аналог: MRF644, TPV376.

Основные технические характеристики транзистора КТ9133А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 130 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 225 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  16 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 200 мА (55В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 160 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7,5 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 30 Вт на частоте 225 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 30 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ9133А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
133 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ863В
Транзисторы КТ863В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, электронных фотовспышках.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.586ТУ.
Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC3568M, 2SD745B.

Основные технические характеристики транзистора КТ863В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 160 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (160В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 70;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ863В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
63 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ8107Г2
Транзисторы КТ8107Г2 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в схемах строчной развертки телевизионных приемников.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - АБДК.432140.214ТУ.
Импортный аналог: BU207A.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8107Г2
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
107 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ306БМ
Транзисторы КТ306БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ) и переключающих устройствах (КТ306АМ, КТ306БМ).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается в сокращенном виде: 306А, 306Б, 306В, 306Г, 306Д.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» СБ0.336.028ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: MPS2713, MPS2714.

Основные технические характеристики транзистора КТ306БМ:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ306БМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
06 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т3123А-2
Транзисторы 2Т3123А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.
Транзисторы выполнены на керамическом негерметизированном держателе, размеры которого соответствуют корпусу КТ-22-2.
Маркируются условным цветовым кодом, на корпусе наносится точка:
-  2Т3123А-2 - розового цвета;
-  2Т3123Б-2 - белого цвета;
-  2Т3123В-2 - синего цвета.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,1 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.191ТУ.
Зарубежный аналог: 2SA1229, 2SA1057.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т3123А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
123 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КП904Б
Транзисторы КП904Б кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы КП904А, КП904Б предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 35,0 г.
Тип корпуса: КТ-5.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - аА0.336.234ТУ.
Импортный аналог: MRF148, BFL175.

Основные технические характеристики транзистора КП904Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и  индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 75 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 90 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 3 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 350 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 200 мА;
• S - Крутизна характеристики: 250... 520 мА/В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 60 МГц.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП904Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т9119А-2
Транзистор 2Т9119А-2 кремниевый эпитаксиально-планарной структуры n-p-n генераторный.
Предназначен для применения в схеме с общей базой в усилителях и генераторах в диапазоне частот 3...7 ГГц.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается с полосковыми выводами на керамическом негерметизированном кристаллодержателе.
Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-52.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.639ТУ.
Зарубежный аналог: NE243496, NE243499, NE56963E, 2L08, 2L15A, 2L15B, 2L15C.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т9119А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
119 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2Т842Б
Транзисторы 2Т842Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.319ТУ.
Зарубежный аналог: 2SB506A.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т842Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 8 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (200В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,36 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 800 нс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т842Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
42 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

МП20Б
Транзисторы МП20Б германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения радиотехнических устройств общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.484ТУ;
  - приемка «5» ЩМ3.365.039 ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N1175, 2N60, 2N655, AC125, AC126, EFT313, EFT323, EFT333, SFT223, SFT322, AC132.

Основные технические характеристики транзистора МП20Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1,5 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 50 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 80...200;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП20Б
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
20 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.