Транзисторы - страница 61

КТ3102ЖМ
Транзисторы КТ3102ЖМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, малой мощности, высокой частоты.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вариант 2 - зелёной меткой на боковой поверхности корпуса и на торце корпуса цветной маркировочной меткой:
   - КТ3102АМ - тёмно-красной,
   - КТ3102БМ - жёлтой,
   - КТ3102ВМ - тёмно-зелёной,
   - КТ3102ГМ - голубой,
   - КТ3102ДМ - синей,
   - КТ3102ЕМ - белой,
   - КТ3102ЖМ - две тёмно-красные,
   - КТ3102ИМ - две жёлтые,
   - КТ3102КМ - две тёмно-зелёные.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.122ТУ/03.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BC183A, BC549C.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3102ЖМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
102 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т812Б
Транзисторы 2Т812Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.193ТУ.
Зарубежный аналог: BU107.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т812Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 4;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т812Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
12 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т9123Б
Мощные биполярные n-p-n транзисторы Дарлингтона с рассеиваемой мощностью 60 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока более 130 МГц.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.661ТУ.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 100000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 150000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т9123Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
123 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2ПС202А-1
Транзисторная сборка 2ПС202А-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя (подложки).
Упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров транзисторов.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Сдвоенные транзисторы выпускаются также без кристаллодержателя в виде двух одинаковых транзисторов, подобранные по основным электрическим параметрам.
Масса сборки не более 0,5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ТФ0.336.010ТУ.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 100000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ПС202А-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусная транзисторная сборка с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

КТ306ГМ
Транзисторы КТ306ГМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ) и переключающих устройствах (КТ306АМ, КТ306БМ).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается в сокращенном виде: 306А, 306Б, 306В, 306Г, 306Д.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» СБ0.336.028ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: MPS2714.

Основные технические характеристики транзистора КТ306ГМ:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ306ГМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
06 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2ТС393А-1
Транзисторные сборки 2ТС393А-1, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами.
Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторные сборки бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей проводить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Масса бескорпусной сборки не более 0,005 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ХМ3.363.000ТУ.

Гарантийный срок хранения - 15 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 75000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС393А-1:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 20 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  10 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0.1 мкА (10В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 180;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 60 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 60 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 80 пс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ТС393А-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
93 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусная транзисторная сборка с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

КТ8131В
Транзисторы КТ8131В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и ключевых схемах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Импортный аналог: 2N6039.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8131В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
131 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ3102ИМ
Транзисторы КТ3102ИМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, малой мощности, высокой частоты.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Вариант 2 - зелёной меткой на боковой поверхности корпуса и на торце корпуса цветной маркировочной меткой:
   - КТ3102АМ - тёмно-красной,
   - КТ3102БМ - жёлтой,
   - КТ3102ВМ - тёмно-зелёной,
   - КТ3102ГМ - голубой,
   - КТ3102ДМ - синей,
   - КТ3102ЕМ - белой,
   - КТ3102ЖМ - две тёмно-красные,
   - КТ3102ИМ - две жёлтые,
   - КТ3102КМ - две тёмно-зелёные.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.122ТУ/03.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N4123.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3102ИМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
102 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ639В
Транзисторы КТ639В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 0,7 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.267ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SA715B, 2SA715C, 2SA715D, 2SA738B, 2SA738C, 2SA738D, BSV15-165.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ639В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
39 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ3129Д9
Транзисторы КТ3129Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.447ТУ/02 .
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SB709, BC205B.

Основные технические характеристики транзистора КТ3129Д9:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 75 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200... 500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3129Д9
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
129 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КП809Б
Транзисторы КП809А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов  не более 16,1 г.
Тип корпуса: КТ-9С.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.331ТУ.
Импортный аналог: BUZ45, SFN440, 2N6914.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП809Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т848А
Транзисторы 2Т848А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n мощные, переключательные.
Предназначены для применения в электронных схемах зажигания автомобильной радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.512ТУ.
Зарубежный аналог: 2SD641, SK3995.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т848А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 35 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 0,25 мА (400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т848А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
48 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ831В
Транзисторы КТ831В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - АДБК.432150.125ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Основные технические характеристики транзистора КТ831В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ831В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
31 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП769Б
Транзисторы КП769Б кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.744ТУ.
Импортный аналог: IRF530.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП769Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ602БМ
Транзисторы КТ602БМ кремниевые планарные структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и усиления сигналов.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» ЩБ3.365.037ТУ.
Импортный аналог: 2SD668, FSX51WF.

Основные технические характеристики транзистора КТ602БМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50...220;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ602БМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ316ВМ
Транзисторы КТ316ВМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316ГМ, КТ316ДМ) и переключающих устройствах (КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка указывается на корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д.
Масса транзистора  не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» СБ0.336.030ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ316ВМ:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ316ВМ
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП350Б
Транзисторы  КП350Б кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-14.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - ЖК3.365.250ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BF905, 3SK78, 2SK40, 3SK102.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП350Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
50 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т881Б
Транзисторы 2Т881Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.
Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Транзисторы 2Т881А-5, 2Т881Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,01 г.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.644ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.644ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N5150.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т881Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
81 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т642А-2
Транзисторы 2Т642А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 1...8,15 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы 2Т642А-2, 2Т640А1-2, 2Т642Б1-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Маркируются белой точкой.
Транзисторы 2Т642А-5, 2Т642А1-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора бескорпусного не более 0,2 г, кристалла не более 0,0002 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.112ТУ.
Зарубежный аналог: NE56787, NE243188, NE243287, NE243288.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т642А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (20В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 8 ГГц.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т642А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
42 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2П768К91
Мощный n-канальный транзистор с пониженным RСИ.
Транзистор 2П768К91 предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-90 (TO-263).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.558ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF740.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П768К91
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.