Транзисторы - страница 86

2П920Б
Транзисторы 2П920Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 400 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 8,0 г.
Тип корпуса: КТ-61.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.534ТУ.
Зарубежный аналог: DV28120, MTP14N05A, BUK452-50B(A), BUK462-50B, MSC0204100.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П920Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
20 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П303Е/ЭА
Транзисторы 2П303Е/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ;
  - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: MFE3006,  MPF107.

Надежность:
Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П303Е/ЭА
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ЭА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2Т974В
Транзисторы 2Т974В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в импульсных и линейных устройствах и преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.287ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.287ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N5041, IMBT3905, 2SA523A, SF220, SOR2906(A), FMMT3905, PH2907.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т974В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
74 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т888Б
Транзисторы 2Т888Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напряжения вторичных источников электропитания.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.782ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: STIP6006.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т888Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
88 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2ПС104Д
Транзисторная сборка 2ПС104Д состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.033ТУ.
Зарубежный аналог: UC2147, BFS21.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 80000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики 2ПС104Д:
• Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,8... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 3 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 1 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2ПС104Д
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Д - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т603Б/ИУ
Транзисторы 2Т603Б/ИУ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные высокочастотные.
Предназначены для работы в схемах автогенераторов, умножителей частоты, усилителей мощности и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» АЕЯР.432140.400ТУ;
  - приемка «ОСМ» АЕЯР.432140.400ТУ, П0.070.052.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: 2SC594, PET8006.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т603Б/ИУ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2Т3132Г-2
Транзисторы 2Т3132Г-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Маркируются цветной точкой:
   - 2Т3132А-2 - синей;
   - 2Т3132Б-2 - красной;
   - 2Т3132В-2 - жёлтой;
   - 2Т3132Г-2 - чёрной.
Транзистор 2Т3132А-5 выпускается в виде кристаллов без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в держателе не более 0,2 г, кристалла - не более 0,002 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.300ТУ.
Зарубежный аналог: 2N6617.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т3132Г-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
132 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

ПП9139Б1
Транзистор ПП9139Б1 мощный нитрид-галлиевый СВЧ-транзистор с выходной мощностью 100 Вт в диапазоне частот до 2900 МГц.
Предназначен для работы в усилительных каскадах L- и S-диапазона частот в стационарной и бортовой радиоаппаратуре с напряжением питания 28 В.
За счёт малых значений паразитных параметров транзистор обладает повышенными эксплуатационными и энергетическими характеристиками и предназначен как для непрерывного, так и для импульсного режимов работы.
Транзистор ПП9139Б1 используется в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432140.540ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: CGH40120F фирмы Cree.

Основные технические характеристики СВЧ-транзистора ПП9139Б1:
  ● Выходная мощность РВЫХ - 100 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 9 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный);
  ● Диапазон частот до 2900 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора ПП9139Б1:
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 12 А;
  ● Максимально допустимый прямой ток затвора, IЗ ПР МАКС ........ 30 мА;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 130 В;
  ● Напряжение затвор-исток, UЗИ ........ от -10 до +2 В;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
ПП9139Б1
П - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где П - соединения прочих металлов, категория качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
139 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ831А
Транзисторы КТ831А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - АДБК.432150.125ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N4300.

Основные технические характеристики транзистора КТ831А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ831А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
31 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т876Б
Транзисторы 2Т876Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.560ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.560ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог:  RCA1C08, 2N5621.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т876Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
76 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П980БС
Транзисторная сборка 2П980БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц.
Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 32 В.
Транзисторная сборка 2П980БС изготовлена по LDMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.316ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: BLF861A (Philips), MRF374A (Freescale).

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П980БС:
(условия измерения: РВХ ≤ 15 Вт, UСИ = 32 В, f = 860 МГц, IС ≤ 1,3 А)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 45 % (минимальный);
  ● Напряжение питания UСИ - 36 В;
  ● Рабочая частота f - 1 ГГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П980БС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 200 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 18 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П980БС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
80 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т381В-1
Парные транзисторы 2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Д-1 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с раздельными выводами.
Транзистор 2Т381Г-1 одиночный.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса каждого транзистора не более 0,01 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - ХА3.365.018ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т381В-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
81 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

2Т856Г
Транзисторы 2Т856Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 18,0 г.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.383ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC3536, 3SC3307.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т856Г
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
56 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т208А9
Транзисторы 2Т208А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для работы в импульсных и линейных схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип корпуса: 4601.3-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.545ТУ.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т208А9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2Т922Б
Транзисторы СВЧ 2Т922Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» И93.365.027ТУ;
  - приемка «ОСМ» И93.365.027ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N5642, CD5918, TH552.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т922Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 20 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 10 мА (65В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 35 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5,5 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т922Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
22 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П770К2
Транзистор 2П770К2 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28А-2.02.
Масса транзистора не более 3,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRFY440C.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П770К2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
70 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П103В1/ДА
Транзисторы 2П103В1/ДА кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.215ТУ;
  - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.215ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П103В1/ДА
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
ДА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2П9116А
Транзистор 2П9116А кремниевый полевой n-канальный балансный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 30 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1090 МГц.
Предназначен для применения в наземной и бортовой радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзистор 2П9116А применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.652ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: ILD1011L20HV фирмы Integra technologies.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П9116А:
(условия измерения: f1=1030 МГц, f2=1090 МГц, UСИ=50 В, τИ=320 мкс, Q=50)
  ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 30 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9116А:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 125 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 3,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 1,2 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П9116А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
116 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П9112А
Транзистор 2П9112А кремниевый полевой n-канальный мощный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 30 Вт в диапазоне частот до 400 МГц.
Предназначен для использования в усилителях мощности, для построения мощных радиопередатчиков различной аппаратуры связи при напряжении питания 50 В.
Изготовлен по DMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзистор 2П9112А применяется для работы в непрерывном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-83.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.626ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: CD2903 фирмы ST Microelectronics, MRF136Y фирмы M/A-COM.

Основные RF характеристики транзистора 2П9112А:
(условия измерения: UП = 50 В, f = 400 МГц, tk ≤ 40°С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 30 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 15 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС - 54 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9112А:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 125 В;
  ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 70 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 2,2 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 2,0 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 4,0 г.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П9112А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
112 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП9120БС
Транзисторная сборка КП9120БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 1000 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначена для применения в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средствах радиосвязи при напряжении питания 50 В.
Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзисторная сборка КП9120БС используется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-2.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: MRF6VP41XHR6 фирмы Freescale Semiconductor.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9120БС:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 1000 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 18 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС – 45 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9120БС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1550 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 38 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,1 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КП9120БС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
120 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.