Транзисторы - страница 94

2Т830Д
Транзисторы 2Т830Д кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p, переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.139ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.139ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т830Д
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ846В
Транзисторы КТ846В кремниевые меза-планарные структуры n-p-n импульсные, переключательные.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.534ТУ.
Импортный аналог: 2S818, 2S818A.

Основные технические характеристики транзистора КТ846В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (1500В);
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,1 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 12000 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ846В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
46 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П768П91
Транзистор 2П768П91 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 125 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-90 (TO-263).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.558ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П768П91
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
П - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2Т9153АС
Транзисторная сборка 2Т9153АС  из двух кремниевых  n-p-n генераторных СВЧ широкополосных транзисторов с общим эмиттером и балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц  в схеме с общим эмиттером.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432149.024ТУ.
Зарубежный аналог:  MRF892, MRA0510-50H.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9153АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
153 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

КТ9164АС
Транзисторная сборка КТ9164АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n мощных СВЧ импульсных генераторных транзисторов с общей базой.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 1030-1090 МГц аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ОТК».
Функциональный аналог: SD1552 (STM), PH1090-350L (M/A Com), MSC1350M (Microsemi).

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ, И = 300 Вт;
- Напряжение питания UП = 50 В;
- Рабочая частота f = 1030, 1090 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
- КПД коллектора ηК≥35%;
- Скважность импульса Q = 10;
- Длительность импульса τИ = 32 мкс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9164АС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
164 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

КП9111А
Транзистор КП9111А кремниевый полевой n-канальный мощный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 80 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначен для использования в усилителях мощности, для построения мощных радиопередатчиков в бортовой и наземной аппаратуре связи при напряжении питания 28 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзистор КП9111А применяется для работы в непрерывном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432150.529ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLF546 фирмы NXP Semiconductors, LR301 фирмы Polyfet.

Основные RF характеристики транзистора КП9111А:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 1,6 Вт, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 80 Вт (CW);
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 17 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС – 65 % (минимальный), 75 % (типичный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9111А:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В;
  ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 77 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 7,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 2,0 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9111А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
111 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т875Б
Транзисторы 2Т875Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для работы в линейных и ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.643ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.643ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N4130.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т875Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
75 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т842А1
Транзисторы 2Т842А1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» аА0.339.626ТУ.
Зарубежный аналог: 2N5357.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т842А1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
42 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П305Б/ИУ
Транзисторы 2П305Б/ИУ кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей высокой частоты до 250 МГц, усилителях с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.536ТУ.
Зарубежный аналог: 2N4224, SK103.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П305Б/ИУ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2Т312Б1
Транзисторы 2Т312Б1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные, радиационно-стойкие.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса:  КТЮ-3-1.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ЖК3.365.143ТУ/Д3;
  - приемка «ОС» ЖК3.365.143ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т312Б1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
12 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П768П92
Транзистор 2П768П92 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 125 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом SMD-корпусе для поверхностного монтажа с плоскими контактными площадками, расположенными по всей плоскости транзистора.
Тип корпуса: КТ-94 (SMD-1).
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П768П92
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
П - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
92 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2П303К/ЭА
Транзисторы 2П303К/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ;
  - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052.

Надежность:
Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П303К/ЭА
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ЭА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2Т215Е9
Транзисторы 2Т215Е9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.518ТУ.
Зарубежный аналог: A5T3708, BF237.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т215Е9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
15 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

ТНГ310100-50
Транзистор ТНГ310100-50 мощный нитрид-галлиевый импульсный СВЧ-транзистор с выходной мощностью 100 Вт в диапазоне частот до 3100 МГц.
Предназначен для работы в усилительных каскадах L- и S-диапазона частот в стационарной и бортовой радиоаппаратуре с напряжением питания 50 В.
За счёт малых значений паразитных параметров транзистор обладает повышенными эксплуатационными и энергетическими характеристиками.
Транзистор ТНГ310100-50 используется для работы в импульсном режиме в усилителях мощности электронной аппаратуры общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - КФДЛ.432149.121ТУ ГК.
Функциональный зарубежный аналог: IGN2731M120 фирмы Integra.

Основные технические характеристики СВЧ-транзистора ТНГ310100-50:
  ● Выходная мощность РВЫХ - 100 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 50 В;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 11 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный);
  ● Длительность импульса τИ - 300 мкс;
  ● Скважность Q - 10;
  ● Диапазон частот до 3100 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора ТНГ310100-50:
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 9 А;
  ● Максимально допустимый прямой ток затвора, IЗ ПР МАКС ........ 10 мА;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 120 В;
  ● Напряжение затвор-исток, UЗИ ........ от -10 до +2 В;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 225 °C;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 6,0 г.

КП979Б
Транзистор КП979Б кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 230 МГц.
Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 28 В.
Транзистор КП979Б изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-56.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.359ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLF246B (Philips), DU2860 (M/A-COM), D1003UK, D1023UK (Semelab).

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП979Б:
(условия измерения: РВХ ≤ 7,5 Вт, UСИ = 28 В, f = 230 МГц, IС ≤ 500 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - в 20 раз (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный);
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Рабочая частота f - 230 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП979Б:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 180 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 17,5 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 9,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП979Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
79 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П9116Б
Транзистор 2П9116Б кремниевый полевой n-канальный балансный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 110 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1090 МГц.
Предназначен для применения в наземной и бортовой радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзистор 2П9116Б применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-57А-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.652ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П9116Б:
(условия измерения: f1=1030 МГц, f2=1090 МГц, UСИ=50 В, τИ=320 мкс, Q=50)
  ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 110 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9116Б:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 450 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 9,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,33 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П9116Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
116 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т603Г/ИУ
Транзисторы 2Т603Г/ИУ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные высокочастотные.
Предназначены для работы в схемах автогенераторов, умножителей частоты, усилителей мощности и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» АЕЯР.432140.400ТУ;
  - приемка «ОСМ» АЕЯР.432140.400ТУ, П0.070.052.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: BSY62A.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т603Г/ИУ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2П103Г1/ДА
Транзисторы 2П103Г1/ДА кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.215ТУ;
  - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.215ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П103Г1/ДА
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
ДА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

КП981А
Транзистор КП981А кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 5 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 12,5 В.
Транзистор КП981А изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-83.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приёмка «1» - АДКБ.432140.370ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLF404, BLF522 (Philips), MRF652, MRF652S (M/A Com).

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП981А:
(условия измерения: РВХ ≤ 0,5 Вт, UСИ = 12,5 В, f = 500 МГц, IС ≤ 50 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 5 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный);
  ● Напряжение питания UСИ - 12,5 В;
  ● Рабочая частота f - 500 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП981А:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 40 В;
  ● Максимально допустимое напряжение питания, UП МАКС ........ 15,8 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 15 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 1,5 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 4,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП981А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
81 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2T9188А
Транзистор 2T9188А кремниевый генераторный низковольтный n-p-n СВЧ.
Предназначен для работы в усилителях мощности мобильной и портативной аппаратуры в диапазоне частот 100-470 МГц.
Используется для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-83.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.154ТУ.
Функциональный аналог: MS1426 (APT), MRF754 (Motorola), SD1433 (STM), BLV81 (Philips).

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ = 10 Вт;
- Напряжение питания UП = 12,5 В;
- Рабочая частота f = 470 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
- КПД коллектора ηК≥55%.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т9188А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
188 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.