Транзисторы - страница 95

МП26А
Транзисторы МП26А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.
Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП»
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.623ТУ;
  - приемка «5» ПЖ0.336.004ТУ1.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: GC112, MA909, MA910.

Основные технические характеристики транзистора МП26А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 70 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 70 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,2 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП26А
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
26 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т8144В1
Транзисторы 2Т8144В1 кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях частоты системы энергоснабжения самолетов, для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, во вторичных источниках питания.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9М.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.261ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т8144В1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
144 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП821А
Транзистор КП821А кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 5 Вт в диапазоне частот до 230 МГц.
Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В.
Транзистор КП821А изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-83.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432140.388ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLF242 фирмы Philips, MRF134, DU2805S фирмы M/A-COM.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП821А:
(условия измерения: РВХ ≤ 63 мВт, UСИ = 28 В, f = 175 МГц, IС ≤ 50 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 5 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 19 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП821А:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 20 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 1,5 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 4,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП821А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
21 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П9110ЕС
Транзисторная сборка 2П9110ЕС состоящая из двух кремниевых полевых импульсных n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 370 Вт в диапазоне частот  от 1030 до 1550 МГц.
Предназначена для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзисторная сборка 2П9110ЕС используется в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.585ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: MRF6V14300H фирмы Freescale Semiconductor, Inc.

Основные RF характеристики транзистора 2П9110ЕС:
(режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 370 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ;
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9110ЕС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 738 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 17,6 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,21 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 14,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П9110ЕС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
110 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Е - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т215Д9
Транзисторы 2Т215Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.518ТУ.
Зарубежный аналог: BF238.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т215Д9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
15 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2П770К92
Транзистор 2П770К92 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается в металлокерамическом SMD-корпусе для поверхностного монтажа с плоскими контактными площадками, расположенными по всей плоскости транзистора.
Тип корпуса: КТ-94 (SMD-1).
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF440.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П770К92
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
70 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
92 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2П302А/ИУ
Транзисторы 2П302А/ИУ кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах и других схемах аппаратуры специального назначения.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-2-14.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.535ТУ.
Зарубежный аналог:  UC714, 2N3791, SMP6451, TMPF6451, TP6451.

Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П302А/ИУ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

КТ817В
Транзисторы КТ817В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.187ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BD177, BD221, BD617, BD935, 2N5191, 2N6122, 2SD292, 2SD880, BD235, BD239, BD439.

Основные технические характеристики транзистора КТ817В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ817В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
17 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П9110В
Транзистор 2П9110В кремниевый полевой импульсный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 50 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц.
Предназначен для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзистор 2П9110В используется в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.625ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.

Основные RF характеристики транзистора 2П9110В:
(режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 35 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный), 16 дБ(типичный);
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9110В:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 101 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 1,53 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П9110В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
110 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

3П604Б1-2
Транзисторы 3П604Б1-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шоттки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
   - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
   - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
   - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.  
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.476ТУ.
Зарубежный аналог: FLK012WF, FLK022XP, FLK022XV, DXL3605-P100F, MA4F005-500.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П604Б1-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

2Т709В2
Транзисторы 2Т709В2 кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» аА0.339.628ТУ.
Зарубежный аналог: BDX34A.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т709В2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Т214Б-1/ДА
Транзисторы 2Т214Б-1/ДА кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).
Тип прибора указывается на возвратной таре.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.524ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т214Б-1/ДА
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
14 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
ДА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2Т888В
Транзисторы 2Т888В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напряжения вторичных источников электропитания.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.782ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т888В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
88 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП9133А
Транзистор КП9133А кремниевый полевой импульсный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 25 Вт в диапазоне частот от 1200 до 1440 МГц.
Предназначен для работы в составе аппаратуры радиолокационных станций (РЛС) и других систем радиосвязи, навигации и радиолокации.
Транзистор КП9133А изготовлен по LDMOS технологии и применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: PTVA120251EA фирмы Infineon Technologies AG, BLL6H0514-25 фирмы NXP Semiconductors .

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9133А:
(условия измерения: f1 = 1200 МГц, f2 = 1400 МГц, UСИ = 50 В)
  ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 25 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 17 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС - 43 % (минимальный);
  ● Длительность импульса τИ = 1 мс;
  ● Скважность Q = 10.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9133А:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 86 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 2,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 1,8 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9133А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
133 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П303И/ЭА
Транзисторы 2П303И/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ;
  - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N3822,  2N5668.

Надежность:
Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П303И/ЭА
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ЭА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2П302В/ИУ
Транзисторы 2П302В/ИУ кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах и других схемах аппаратуры специального назначения.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-2-14.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.535ТУ.
Зарубежный аналог: MFE2098, KK4360.

Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П302В/ИУ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

ПП9138Б
Транзистор ПП9138Б мощный нитрид-галлиевый СВЧ-транзистор с выходной мощностью 25 Вт в диапазоне частот до 4000 МГц.
Предназначен для работы в усилительных каскадах L-, S- и C-диапазона частот в стационарной и бортовой радиоаппаратуре с напряжением питания 28 В.
За счёт малых значений паразитных параметров транзистор обладает повышенными эксплуатационными и энергетическими характеристиками и предназначен как для непрерывного, так и для импульсного режимов работы.
Транзистор ПП9138Б используется в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-81С.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432140.540ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: CGH40025F фирмы Cree.

Основные технические характеристики СВЧ-транзистора ПП9138Б:
  ● Выходная мощность РВЫХ - 25 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 9 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный);
  ● Диапазон частот до 4000 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора ПП9138Б:
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 3 А;
  ● Максимально допустимый прямой ток затвора, IЗ ПР МАКС ........ 10 мА;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 130 В;
  ● Напряжение затвор-исток, UЗИ ........ от -10 до +2 В;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 1,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
ПП9138Б
П - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где П - соединения прочих металлов, категория качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
138 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П829Г9
Транзисторы 2П829Г9 кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные.
Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом SMD-корпусе для поверхностного монтажа с плоскими контактными площадками, расположенными по всей плоскости транзистора.
Тип корпуса: КТ-95 (SMD-2).
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П829Г9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

ТНГ270100-28
Транзистор ТНГ270100-28 мощный нитрид-галлиевый импульсный СВЧ-транзистор с выходной мощностью 100 Вт в диапазоне частот до 2700 МГц.
Предназначен для работы в усилительных каскадах L- и S-диапазона частот в стационарной и бортовой радиоаппаратуре с напряжением питания 28 В.
За счёт малых значений паразитных параметров транзистор обладает повышенными эксплуатационными и энергетическими характеристиками.
Транзистор ТНГ270100-28 используется для работы в импульсном режиме в усилителях мощности электронной аппаратуры общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: CGH25120F фирмы Cree.

Основные технические характеристики СВЧ-транзистора ТНГ270100-28:
  ● Выходная мощность РВЫХ - 100 Вт;
  ● Напряжение питания UСИ - 28 В;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 9 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 60 % (минимальный);
  ● Длительность импульса τИ - 300 мкс;
  ● Скважность Q - 10;
  ● Диапазон частот до 2700 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора ТНГ270100-28:
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 12 А;
  ● Максимально допустимый прямой ток затвора, IЗ ПР МАКС ........ 30 мА;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 80 В;
  ● Напряжение затвор-исток, UЗИ ........ от -10 до +2 В;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 225 °C;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 6,0 г.

2П986Б
Транзистор 2П986Б кремниевый полевой n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц в электронной аппаратуре специального назначения.
Имеет высокое усиление и КПД, встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса:  КТ-55С-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.487ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Функциональный аналог: D2201UK, D2219UK, D2229UK (Semelab); F2246 (Polyfet); D2202UK, D2220UK, D2225UK (Semelab); F2247 (Polyfet); D2207UK, D2211UK, D2254UK (Semelab); F2212 (Polyfet); D2204UK, D2213UK, D2256UK (Semelab); F2213 (Polyfet); MRF1535NT1 (Freescale); D2208UK, D2217UK (Semelab); LK822, LK722, LX521.

Основные RF характеристики:
(режим измерения: f = 1000 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 0,5 Вт, tk ≤ 40 °С)
- Выходная мощность РВЫХ  – 5 Вт (CW);
- Коэффициент усиления по мощности КУР – 10 дБ (мин);
- КПД стока ηС  – 50 % (мин).

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П986Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
86 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.