Транзисторы - страница 99

2П770П1
Транзистор 2П770П1 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9С.
Масса транзистора не более 22,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П770П1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
70 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
П - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ841Д
Транзисторы КТ841Д кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.654ТУ.
Импортный аналог: 2SD418, 2SC2356, 2SC2139, BUX14.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ841Д
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
41 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП9110Г
Транзистор КП9110Г кремниевый полевой импульсный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 100 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц.
Предназначен для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзистор КП9110Г используется в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-57А-1.
Категория качества: «ОТК».
  - приемка «1» - АДКБ.432150.521ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLL6H0514L-130 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики транзистора КП9110Г:
(режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 100 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ;
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9110Г:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 203 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 8,8 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,76 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9110Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
110 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т630Б1
Транзисторы 2Т630Б1 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для работы в ключевых и линейных схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» ЮФ3.365.043ТУ;
  - приёмка «ОС» ЮФ3.365.043ТУ, аА0.339.190ТУ.
Срок сохраняемости - не менее 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: 2SC817.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 15000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 30000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т630Б1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7160Б2
Транзисторы 2П7160Б2 мощные радиационно-стойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором, n-каналом и встроенным диодом.
Предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Изготавливаются в металлокерамических корпусах с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами.
Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).
Тип корпуса: КТ-111А-1.02, масса не более 2,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
   - приёмка «5» - АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора:
2П7160Б2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или  
максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
160 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП821Б
Транзистор КП821Б кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 30 Вт в диапазоне частот до 230 МГц.
Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В.
Транзистор КП821Б изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-83.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432140.388ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLF242 фирмы Philips, MRF134, DU2805S фирмы M/A-COM.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП821Б:
(условия измерения: РВХ ≤ 750 мВт, UСИ = 28 В, f = 175 МГц, IС ≤ 50 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 30 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП821Б:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 60 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 4,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП821Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
21 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т208Ж9
Транзисторы 2Т208Ж9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для работы в импульсных и линейных схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип корпуса: 4601.3-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.545ТУ.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т208Ж9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2Т630А19
Транзисторы 2Т630А19 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для работы в ключевых, линейных и других схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускается в прямоугольном металлокерамическом корпусе с планарным расположением выводов для поверхностного монтажа (SMD) на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: 4601.3-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.546ТУ.
Срок сохраняемости - не менее 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора:
2Т630А19
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КТ9197А
Транзистор КТ9197А кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ биполярный транзистор с балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначен для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 200-870 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-83А.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Функциональный аналог: SD1409 (ST Microelectronics), BLV91 (Philips).

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ = 2 Вт;
- Напряжение питания UП = 12,6 В;
- Рабочая частота f = 870 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥6;
- КПД коллектора ηК≥55%.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ9197А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
197 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П769Д1
Транзистор 2П769Д1 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для использования в радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9С.
Масса транзистора не более 22,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П769Д1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП746А1
Транзисторы КП746А1 кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и  преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-90 (TO-263).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.681ТУ.
Импортный аналог: IRF540N.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП746А1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
46 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП986Г
Транзистор КП986Г кремниевый полевой n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц.
Имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса:  КТ-57А-1.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» -  АДКБ.432150.487ТУ.
Функциональный аналог: D2201UK, D2219UK, D2229UK (Semelab); F2246 (Polyfet); D2202UK, D2220UK, D2225UK (Semelab); F2247 (Polyfet); D2207UK, D2211UK, D2254UK (Semelab); F2212 (Polyfet); D2204UK, D2213UK, D2256UK (Semelab); F2213 (Polyfet); MRF1535NT1 (Freescale); D2208UK, D2217UK (Semelab); LK822, LK722, LX521.

Основные RF характеристики:
(режим измерения: f = 1000 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 0,5 Вт, tk ≤ 40 °С)
- Выходная мощность РВЫХ  – 20 Вт (CW);
- Коэффициент усиления по мощности КУР – 10 дБ (мин);
- КПД стока ηС  – 50 % (мин).

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП986Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
86 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т9197В
Транзистор 2Т9197В кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ биполярный транзистор с балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначен для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 200-870 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-83А.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432150.211ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.
Функциональный аналог: SD1418 (ST Microelectronics), BLV94 (Philips).

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ = 15 Вт;
- Напряжение питания UП = 12,6 В;
- Рабочая частота f = 870 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
- КПД коллектора ηК≥55%.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т9197В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
197 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП9110В
Транзистор КП9110В кремниевый полевой импульсный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 50 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц.
Предназначен для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзистор КП9110В используется в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-55С-1.
Категория качества: «ОТК».
  - приемка «1» - АДКБ.432150.521ТУ.

Основные RF характеристики транзистора КП9110В:
(режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 35 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный), 16 дБ(типичный);
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9110В:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 101 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 1,53 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП9110В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
110 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т208Л9
Транзисторы 2Т208Л9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для работы в импульсных и линейных схемах аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип корпуса: 4601.3-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432140.545ТУ.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т208Л9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Л - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2П794В1
Транзистор 2П794В1 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью 150 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9С.
Масса транзистора не более 22,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П794В1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
94 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2Е802А1
Транзисторы 2Е802А1 мощные кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные биполярные с изолированным затвором (БТИЗ), переключательные.
Предназначены для работы в качестве силовых ключей в аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Тип корпуса: КТ-97В.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 7,5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.4321140.283ТУ.
Срок сохраняемости - не менее 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора с изолированным затвором:
2Е802А1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Е - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Е - биполярные транзисторы с изолированным затвором;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П301В/ИУ
Транзисторы 2П301В/ИУ кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-14.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.534ТУ.
Зарубежный аналог: MFE3003.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 ч - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П303В/ИУ
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора.

2Т9197Б
Транзистор 2Т9197Б кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ биполярный транзистор с балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначен для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 200-870 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-83А.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432150.211ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления.
Функциональный аналог: SD1410 (STMicroelectronics), BLV92 (Philips).

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ = 5 Вт;
- Напряжение питания UП = 12,6 В;
- Рабочая частота f = 870 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥5;
- КПД коллектора ηК≥55%.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т9197Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
197 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ9156АС
Транзисторная сборка КТ9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 10,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ОТК».
Функциональный аналог: MRA0510-14 (Motorola), BLV98 (PHILIPS), MS1451 (APT).

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9156АС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
156 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.