2Т610, КТ610 кремниевые, усилительные, СВЧ транзисторы

Рис.1 Общий вид транзисторов.

Транзисторы 2Т610А, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные.
Предназначены для работы в усилителях напряжения и мощности в радиоэлектронной аппаратуре специального и общего назначения и рассчитаны на работу в сверхвысокочастотном диапазоне с граничной частотой не менее 1 ГГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Маркировка транзисторов:
■ Транзисторы 2Т610А, 2Т610Б маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
■ Транзисторы КТ610А, КТ610Б маркируются цветными точками на крышке корпуса:
   - чёрной точкой на коричневой поверхности;
   - красной точкой на коричневой поверхности.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».

Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
■ приёмка «1» - Я53.365.005ТУ;
■ приёмка «5» Я53.365.009ТУ;
■ приёмка «7» Я53.365.009ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2SC651, 2SC1365.

Рис.2 Габаритные размеры и расположение выводов транзисторов 2Т610А, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б.

Технические характеристики транзисторов 2Т610А, 2Т610Б, КТ610А, КТ610Б:

Параметры	2Т610А	2Т610Б	КТ610А	КТ610Б
Ik max, мА	300	300	300	300
Uкэ0гр, В	20	20	20	20
Uпит max, В	15	15	15	15
Uкб0 max, В	26	26	-	-
Uэб0 max, В	4	4	4	4
Pmax, Вт	1.5	1.5	1.5	1.5
Tк, ºС	50	50	50	50
Tп max, ºС	150	150	150	150
Tк max, ºС	125	125	85	85
Iкбо, мА	0.5	0.5	0.5	0.5
h21э	50…250	20…250	50…300	20…300
Uкэ, В	10	10	10	10
Iк, мА	150	150	150	150
Kш, дБ	8	8	8	8
f, ГГц	0.2	0.2	0.2	0.2
fгр, ГГц	1	0.7	1	0.7
Cк, пф	4.1	4.1	4.1	4.1
Cэ, пф	21	21	21	21
Rт п-к, ºС/Вт	66.7	66.7	65	65

*Значения Uкэ0гр...Uэб0 max, h21э...Cэ приведены при Тп = 25 ºС.

Обозначения параметров в таблице:

■ Ik max - максимально допустимый ток коллектора;

■ Uкэ0гр - граничное напряжение;

■ Uпит max - максимально допустимое напряжение питания;

■ Uкб0 max - максимально допустимое напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю;

■ Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

■ Pmax - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора;

■ Tк - температура корпуса;

■ Tп max - максимально допустимая температура перехода;

■ Tк max - максимально допустимая температура корпуса;

■ Iкбо - обратный ток коллектора;

■ h21э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

■ Uкэ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

■ Iк - постоянный ток коллектора;

■ Kш - коэффициент шума;

■ f - частота;

■ fгр - граничная частота коэффициента передачи тока;

■ Cк - емкость коллекторного перехода;

■ Cэ - емкость эмиттерного перехода;

■ Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус.