Транзисторы - страница 53

КТ660Б
Транзисторы КТ660Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических колебаний.
Корпус пластмассовой с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
На транзистор наносится условная цветная маркировка:
   - КТ660А - одна синяя полоса,
   - КТ660Б - две синие полосы.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.669ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC21200.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ660Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
60 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т874А
Транзисторы 2Т874А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в схемах источников вторичного электропитания, ключевых схемах.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.571ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.571ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 1582-1008, 1582-1210, 1582-1015, BUX69.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т874А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 20 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 150 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 50 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (150В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т874А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
74 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т317А-1
Транзисторы 2Т317А-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки) и защитным покрытием.
Помещаются в возвратную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора и маркировочная точка коллектора приводятся на крышке возвратной тары.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - ГЕ3.365.002ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т317А-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
17 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

П216Д
Транзисторы П216Д германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.342ТУ;
  - приемка «5» СИ3.365.017ТУ;
  - приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П216Д :
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15... 30;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
П216Д
П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
216 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 201 до 299 - германиевые мощные транзисторы низкой частоты;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П7120ВС
Транзисторная сборка 2П7120ВС кремниевых эпитаксиально-планарных полевых с изолированным затвором мощных переключательных транзисторов.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение: 427.8-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.219ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П7120ВС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
120 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2П911Б
Транзисторы 2П911Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным вертикальным каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-18-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.281ТУ.
Зарубежный аналог: F2012, DV1210Z.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П911Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 30 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 2,5... 4 А;
• S - Крутизна характеристики: 200... 600 мА/В.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П911Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
11 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

МП106
Транзисторы МП106 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - СБ0.336.010ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП106
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
106 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты.

КТ685Д
Транзисторы КТ685Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.810ТУ.
Импортный аналог: 2N6013, MPS3702.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ685Д
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
85 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

МП21Д
Транзисторы МП21Д германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.336.484ТУ;
  - приемка «ПЗ» ЩМ3.365.039ТУ.
Импортный аналог: 2N1926, 2N59B, 2N60B, 2N61B, EFT341, EFT342, EFT343.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Основные технические характеристики транзистора МП21Д:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,7 МГц;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 50 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 60...200;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
МП21Д
М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус);
П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;
21 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ828А
Транзисторы КТ828А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, высоковольтных переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.340ТУ.
Импортный аналог: BUX97, BUX97A, BUX97B, 2SC2121, 2SC2790 2SC2790A, 2SC2791, BU326A,  SDT18328.

Основные технические характеристики транзистора КТ828А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 800 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (1400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 2,25;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ828А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
28 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ3142А
Транзистор КТ3142А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.
Предназначен для применения в переключательных и импульсных устройствах, генераторах, усилителях, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» -  АДБК.432143.026ТУ, аА0.336.577ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N2369, 2N5769, 2N4137, SG769, EN2369A.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3142А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
142 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ814Г
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.184ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SA815, BD818, MJE712, TIP30C, TIP62C, BD170.

Основные технические характеристики транзистора КТ814Г:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ814Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
14 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП505В
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.
КП505В предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемый для народного хозяйства.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.691ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП505В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
5 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ911А
Транзисторы СВЧ КТ911А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 300 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - ЩБ3.365.061ТУ.
Импортный аналог: 2N4976, 2N5481, HXTR-4103, MSC85470, MSC85920.

Основные технические характеристики транзистора КТ911А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 750 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (55В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2,5 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1 Вт на частоте 1,8 ГГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 25 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ911А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
11 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

ГТ328В
Транзисторы ГТ328В германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц.
Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - ПЖ0.336.018ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N3282, 2N3284, AF106A.

Основные технические характеристики транзистора ГТ328В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 300 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В при 5кОм;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА при 15 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 10...50 при 5В, 3мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ при 5В;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 7 дБ на частоте 180 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
ГТ328В
Г - буква, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где Г - германиевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
28 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ940В
Транзисторы КТ940В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для для использования в каскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 0,8 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0. 336.246ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC2231, 2SC3422, 2SC3423, BF297, BF457, BFT47.

Основные технические характеристики транзистора КТ940В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 160 В (10кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 0,3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА (250В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,2 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 33 Ом.


Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ940В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
40 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ350А
Транзистор КТ350А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p универсальный.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип транзистора маркируется цветовым кодом, на корпусе наносится условная маркировка двумя точками серого и розового цвета.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» ЩТ3.365.058-5ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 10 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SA673, 2N5226, 2N978, 2N5221, MPS6562, MPS6563.

Основные технические характеристики транзистора КТ350А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 100 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ350А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
50 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т716А
Транзисторы 2Т716А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и переключательных схемах в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-8 (TO-66).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.645ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.645ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2SD472H.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 80000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т716А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц;
16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ962В
Транзисторы СВЧ КТ962В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400...1000 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеется согласующее LС-звено.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.381ТУ.
Импортный аналог: DM40-28, MRF1035MC, MRF1035MA, MRF1035MB.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ962В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
62 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ6115В
Транзистор КТ6115В кремниевый биполярный p-n-p, для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируется цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» АДБК.432140.422ТУ.
Импортный аналог: SS8550D.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ6115В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
115 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.