Транзисторы - страница 54

КТ3117А9
Транзисторы КТ3117А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения с общей герметизацией.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46 (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.262ТУ/02.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.

Основные технические характеристики транзистора КТ3117А9:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3117А9
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
117 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КПС104Г
Транзисторная сборка КПС104Г состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.038ТУ.
Зарубежный аналог: UC2147, BFS21.

Основные технические характеристики транзистора КПС104Г:
• Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,8... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 3 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 1 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КПС104Г
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Г - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ892А2
Транзисторы КТ892А2 кремниевые планарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для работы в системах зажигания, схемах управления двигателями и других схемах аппаратуры общего назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 5,5 г.
Тип корпуса: КТ-43В.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ892А2
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
92 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КТ8114А
Транзисторы КТ8114А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в схемах строчной развертки и в источниках электропитания.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 5,0 г.
Тип корпуса: КТ-43-2 (ТО-218).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - АБДК.432140.276ТУ.
Импортный аналог: NTE2300, NTE2318, ECG2318, ECG2300, BU508DR.

Основные технические характеристики транзистора КТ8114А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1500 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (1500В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 8... 40;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ8114А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
114 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

3П320А-2
Транзисторы 3П320А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими поисковыми выводами и керамической крышкой.
На крышку наносится условная маркировка цветной точкой:
   - 3П320А-2, АП320А-2 - красной,
   - 3П320Б-2, АП320Б-2 - зеленой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.167ТУ.
Зарубежный аналог: NE695.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 3П320А-2:
• Структура транзистора: с n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 80 мВт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток (постоянное): 4 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток (постоянное): 8 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное): 5 В;
• S - Крутизна характеристики: 5... 16 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: 0,18 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: 0,15 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 3 дБ на частоте 8 ГГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 8 ГГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П320А-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
20 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ831Б
Транзисторы КТ831Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - АДБК.432150.125ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Основные технические характеристики транзистора КТ831Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ831Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
31 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т307А-1
Транзисторы 2Т307А-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные, без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,002 г
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - СБ0.336.026ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т307А-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
07 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

2Т983А
Транзисторы СВЧ 2Т983А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n линейные.
Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 40...860 МГц при напряжении питания 25 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».

Основные технические характеристики транзистора 2Т983А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8,7 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 5 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,5 Вт на частоте 860 МГц.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т983А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
83 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т391А-2
Транзисторы 2Т391А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные с гибкими выводами на кристаллодержателе.
На крышке транзистора наносится условная маркировка цветными точками:
   - 2Т391А-2 - одна черная;
   - 2Т391Б-2 - одна белая.
Тип прибора указывается также в этикетке, вкладываемой в групповую упаковку.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.046ТУ.
Зарубежный аналог: V913B, 2SC1268, 2SC1269.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 80000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т391А-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
91 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КТ501И
Транзисторы КТ501И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.064ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: SFT144, 2N1257.

Основные технические характеристики транзистора КТ501И:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (10кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ501И
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
5 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
01 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ3189Б9
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор малой мощности.
Транзисторы КТ3189Б9 предназначены для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» -  АДБК.432150.531ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BC847B.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ3189Б9
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
189 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2П769В91
Транзистор 2П769В91 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 100 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц.
Транзистор предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-90 (TO-263).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF540S.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П769В91
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КТ698К
Транзисторы КТ698К кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные со статической индукцией структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в схемах переключателя в бесконтактных коммутирующих устройствах, в схемах управления электродвигателями, в быстродействующих ключевых схемах с низким напряжением насыщения, в тахометрах для автомобилей, реле поворотов, блоков питания.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпус наносится условная маркировка в виде буквы П и буквы соответствующей группы:
КТ698А - ПА, КТ698Б - ПБ, КТ698В - ПВ, КТ698Г - ПГ, КТ698Д - ПД, КТ698Е - ПЕ, КТ698Ж - ПЖ, КТ698И - ПИ, КТ698К - ПК.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» АДБК.432140.149ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SD2031, 2SD2031A, PMBTA43, SML5053, SML5056, 2SC3649.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ698К
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
98 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КТ909Б
Транзисторы КТ909Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...500 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе  стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Тип корпуса: КТ-15.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - ЩБ3.365.064ТУ.
Импортный аналог: 2N5178, 2SC2173, 2SC2643, 2SC2381, MRF641.

Основные технические характеристики транзистора КТ909Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 54 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 мА (60В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,18 Ом;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 35 Вт на частоте 500 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 20 нс.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ909Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т9124А
Транзисторы 2Т9124А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях и генераторах импульсного 2Т9124А и непрерывного 2Т9124Б режимов работы в диапазоне частот 3,1...3,5 ГГц в схеме ОБ при напряжении питания 21 В в импульсном режиме и 21 В в непрерывном.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Транзисторы содержат внутренние согласующие цепи.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.667ТУ.
Зарубежный аналог: AM83135-10.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т9124А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
124 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т9117А
Транзисторы 2Т9117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.593ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.593ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N6553.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т9117А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
117 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т945А
Транзисторы  2Т945А  кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Транзистор  2Т945А-5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.155ТУ.
Зарубежный аналог: BUY73, SK9446.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора  2Т945А :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менне 51 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (10Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (150В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1.1 мкс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т945А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
45 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П771А91
Транзисторы 2П771А91 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-90 (TO-263).
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.243ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П771А91
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
71 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2Т971А
Транзисторы 2Т971А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LС-звено.
Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 9,0 г.
Тип корпуса: КТ-56.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.270ТУ.
Зарубежный аналог: NEMO214068-28.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т971А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 200 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 220 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 17 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (50В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 330 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т971А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
71 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т935Б
Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б в металлостеклянном корпусе КТ-97В с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Предназначен для работы в импульсных устройствах радиоаппаратуры, преобразователях напряжения DC-DC при уровне входного напряжения до 70В, других устройствах радиоаппаратуры с питанием от аккумуляторов.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.006ТУ.
Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т935Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
35 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.